[发明专利]一种MEMS器件的制作方法有效
| 申请号： | 201410114224.5 | 申请日： | 2014-03-25 |
| 公开（公告）号： | CN104944361A | 公开（公告）日： | 2015-09-30 |
| 发明（设计）人： | 郑超;李广宁;沈哲敏 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | B81C1/00 | 分类号： | B81C1/00 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所 31219 | 代理人： | 李仪萍 |
| 地址： | 100176 北京市大兴*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供一种MEMS器件的制作方法，至少包括以下步骤：S1：提供一半导体基底，所述半导体基底表面预先划分有用于后续制作MEMS敏感结构的MEMS区域；S2：在所述半导体基底上形成第一SiGe层；S3：在位于非MEMS区域的第一SiGe层表面形成若干凹槽，并在所述凹槽内填充塑性材料，形成塑性填充块；S4：去除所述凹槽外多余的塑性材料，然后在所述第一SiGe层表面形成一覆盖所述塑性填充块的第二SiGe层；S5：以位于所述MEMS区域的第一SiGe层及第二SiGe层作为结构材料制作MEMS敏感结构。本发明在在SiGe层中加入塑性填充块，利用该塑性填充块的塑性变形能力，吸收SiGe层中的应力，有效防止了SiGe层发生剥离的现象。且塑性填充块位于非MEMS区域，不会对器件的功能产生影响。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 mems 器件 制作方法 | ||
【主权项】：
一种MEMS器件的制作方法，其特征在于，至少包括以下步骤：S1：提供一半导体基底，所述半导体基底表面预先划分有用于后续制作MEMS敏感结构的MEMS区域；S2：在所述半导体基底上形成第一SiGe层；S3：在位于非MEMS区域的第一SiGe层表面形成若干凹槽，并在所述凹槽内填充塑性材料，形成塑性填充块；S4：去除所述凹槽外多余的塑性材料，然后在所述第一SiGe层表面形成一覆盖所述塑性填充块的第二SiGe层；S5：以位于所述MEMS区域的第一SiGe层及第二SiGe层作为结构材料制作MEMS敏感结构。
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