[发明专利]一种MEMS器件的制作方法有效
| 申请号： | 201410114224.5 | 申请日： | 2014-03-25 |
| 公开（公告）号： | CN104944361A | 公开（公告）日： | 2015-09-30 |
| 发明（设计）人： | 郑超;李广宁;沈哲敏 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | B81C1/00 | 分类号： | B81C1/00 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所 31219 | 代理人： | 李仪萍 |
| 地址： | 100176 北京市大兴*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 mems 器件 制作方法 | ||
1.一种MEMS器件的制作方法，其特征在于，至少包括以下步骤：
S1：提供一半导体基底，所述半导体基底表面预先划分有用于后续制作MEMS敏感结构的MEMS区域；
S2：在所述半导体基底上形成第一SiGe层；
S3：在位于非MEMS区域的第一SiGe层表面形成若干凹槽，并在所述凹槽内填充塑性材料，形成塑性填充块；
S4：去除所述凹槽外多余的塑性材料，然后在所述第一SiGe层表面形成一覆盖所述塑性填充块的第二SiGe层；
S5：以位于所述MEMS区域的第一SiGe层及第二SiGe层作为结构材料制作MEMS敏感结构。
2.根据权利要求1所述的MEMS器件的制作方法，其特征在于：所述半导体基底包括焊垫区域及覆盖所述焊垫区域的介质层；所述焊垫区域位于所述MEMS区域旁。
3.根据权利要求2所述的MEMS器件的制作方法，其特征在于：于所述步骤S3中，在所述焊垫区域上方的第一SiGe层表面形成若干凹槽。
4.根据权利要求3所述的MEMS器件的制作方法，其特征在于：于所述步骤S5之后，进一步去除所述焊垫区域上方的第二SiGe层、塑性填充块、第一SiGe层及介质层以暴露出所述焊垫区域。
5.根据权利要求4所述的MEMS器件的制作方法，其特征在于：暴露出所述焊垫区域后，进一步提供一包括腔体区域和键合区域的封帽层，将所述腔体区域对准所述MEMS敏感结构、将所述键合区域对准所述焊垫区域，然后将所述封帽层与所述半导体基底键合，以为所述MEMS敏感结构提供一真空密封环境。
6.根据权利要求1～5任意一项所述的MEMS器件的制作方法，其特征在于：所述塑性材料为绝缘高分子材料。
7.根据权利要求1～5任意一项所述的MEMS器件的制作方法，其特征在于：所述塑性材料为BCB材料。
8.根据权利要求1～5任意一项所述的MEMS器件的制作方法，其特征在于：于所述步骤S3中，所述凹槽的深宽比范围是0.2～0.5。
9.根据权利要求1～5任意一项所述的MEMS器件的制作方法，其特征在于：于所述步骤S3中，采用化学气相沉积法形成所述塑性填充块。
10.根据权利要求1～5任意一项所述的MEMS器件的制作方法，其特征在于：所述第一SiGe层与所述第二SiGe层的厚度比为0.5～2。
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