[发明专利]引线框架及半导体装置的制造方法有效

专利信息
申请号: 201410111955.4 申请日: 2014-03-24
公开(公告)号: CN104078437B 公开(公告)日: 2018-08-07
发明(设计)人: 佐藤晴信;吉江崇;仓岛进 申请(专利权)人: 新光电气工业株式会社
主分类号: H01L23/495 分类号: H01L23/495;H01L21/48
代理公司: 上海和跃知识产权代理事务所(普通合伙) 31239 代理人: 芮玉珠
地址: 日本长野县*** 国省代码: 日本;JP
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明提供引线框架及半导体装置,其包含具有良好的接合性的外引线。引线框架(10)的外引线(18)包含镀层(23),该镀层(23)覆盖框架基材(11)的下表面(11a)及两个侧面(11b,11c)。框架基材(11)的上表面(11d)没有被镀层(23)覆盖。
搜索关键词: 引线 框架 半导体 装置
【主权项】:
1.一种引线框架的制造方法,所述引线框架具备:框架基材,其包含多个连接引线、和将所述多个连接引线相互连接的框架堤坝,各个连接引线包含比所述框架堤坝靠内侧的内引线、和比所述框架堤坝靠外侧的外引线,所述引线框架的制造方法包括如下工序:在由所述引线框架将半导体装置单片化之前,在没有将各个外引线的下表面和各个外引线的两个侧面用抗蚀膜覆盖,而将各个外引线的上表面用抗蚀膜覆盖的状态下,形成覆盖各个外引线的所述下表面和各个外引线的所述两个侧面的镀层,所述框架基材在各个外引线的所述上表面从所述镀层露出,所述镀层覆盖所述外引线的两个侧面的下端至上端。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于新光电气工业株式会社,未经新光电气工业株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201410111955.4/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top