[发明专利]引线框架及半导体装置的制造方法有效
| 申请号: | 201410111955.4 | 申请日: | 2014-03-24 |
| 公开(公告)号: | CN104078437B | 公开(公告)日: | 2018-08-07 |
| 发明(设计)人: | 佐藤晴信;吉江崇;仓岛进 | 申请(专利权)人: | 新光电气工业株式会社 |
| 主分类号: | H01L23/495 | 分类号: | H01L23/495;H01L21/48 |
| 代理公司: | 上海和跃知识产权代理事务所(普通合伙) 31239 | 代理人: | 芮玉珠 |
| 地址: | 日本长野县*** | 国省代码: | 日本;JP |
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| 摘要: | 本发明提供引线框架及半导体装置,其包含具有良好的接合性的外引线。引线框架(10)的外引线(18)包含镀层(23),该镀层(23)覆盖框架基材(11)的下表面(11a)及两个侧面(11b,11c)。框架基材(11)的上表面(11d)没有被镀层(23)覆盖。 | ||
| 搜索关键词: | 引线 框架 半导体 装置 | ||
【主权项】:
1.一种引线框架的制造方法,所述引线框架具备:框架基材,其包含多个连接引线、和将所述多个连接引线相互连接的框架堤坝,各个连接引线包含比所述框架堤坝靠内侧的内引线、和比所述框架堤坝靠外侧的外引线,所述引线框架的制造方法包括如下工序:在由所述引线框架将半导体装置单片化之前,在没有将各个外引线的下表面和各个外引线的两个侧面用抗蚀膜覆盖,而将各个外引线的上表面用抗蚀膜覆盖的状态下,形成覆盖各个外引线的所述下表面和各个外引线的所述两个侧面的镀层,所述框架基材在各个外引线的所述上表面从所述镀层露出,所述镀层覆盖所述外引线的两个侧面的下端至上端。
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