[发明专利]一种用于抑制微波部件表面二次电子发射的银膜陷阱结构的制备方法有效

专利信息
申请号: 201410111226.9 申请日: 2014-03-24
公开(公告)号: CN103882487A 公开(公告)日: 2014-06-25
发明(设计)人: 马建中;张永辉;鲍艳;崔万照;胡天存 申请(专利权)人: 陕西科技大学;西安空间无线电技术研究所
主分类号: C25D3/46 分类号: C25D3/46;C25D5/10;C25D5/44
代理公司: 西安通大专利代理有限责任公司 61200 代理人: 蔡和平
地址: 710021 *** 国省代码: 陕西;61
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摘要: 一种用于抑制微波部件表面二次电子发射的银膜陷阱结构的制备方法,在微波部件表面生长ZnO纳米阵列,然后通过电化学沉积在纳米阵列间隙镀银,并使用稀盐酸对镀银后的样片进行腐蚀处理,最终在微波部件表面形成银膜陷阱结构。本发明通过在微波部件表面构筑银膜陷阱结构,可极大提高微波部件的表面孔隙率及纳米孔的深宽比,对微波部件表面的二次电子发射产生明显抑制,将部件表面二次电子发射系数降到1.0以下。
搜索关键词: 一种 用于 抑制 微波 部件 表面 二次电子 发射 陷阱 结构 制备 方法
【主权项】:
一种用于抑制微波部件表面二次电子发射的银膜陷阱结构的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:a)ZnO纳米阵列的制备:首先,在微波部件表面涂覆一层二水合醋酸锌的无水乙醇溶液,烘干后重复多次涂覆、烘干,其次,将微波部件在紫外灯下照射,制得晶种层,最后,在室温常压下,将微波部件带有晶种层的一面向下,倾斜置于90‑95℃的锌盐溶液中生长后,经水洗、烘干,得到生长有ZnO纳米阵列的微波部件;所述二水合醋酸锌的无水乙醇溶液的浓度为0.01~0.04mol/L;b)银膜陷阱结构的构筑:采用双电极体系,以生长有ZnO纳米阵列的微波部件为阴极,并以等面积的银箔为阳极,进行镀银;镀银完毕后,采用0.001~0.004mol/L的稀盐酸对微波部件腐蚀处理以去除ZnO纳米阵列,然后清洗、干燥,微波部件表面形成银膜陷阱结构。
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