[发明专利]一种用于抑制微波部件表面二次电子发射的银膜陷阱结构的制备方法

权利要求书

1.一种用于抑制微波部件表面二次电子发射的银膜陷阱结构的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

a）ZnO纳米阵列的制备：首先，在微波部件表面涂覆一层二水合醋酸锌的无水乙醇溶液，烘干后重复多次涂覆、烘干，其次，将微波部件在紫外灯下照射，制得晶种层，最后，在室温常压下，将微波部件带有晶种层的一面向下，倾斜置于90-95℃的锌盐溶液中生长后，经水洗、烘干，得到生长有ZnO纳米阵列的微波部件；所述二水合醋酸锌的无水乙醇溶液的浓度为0.01～0.04mol/L；

b）银膜陷阱结构的构筑：采用双电极体系，以生长有ZnO纳米阵列的微波部件为阴极，并以等面积的银箔为阳极，进行镀银；镀银完毕后，采用0.001～0.004mol/L的稀盐酸对微波部件腐蚀处理以去除ZnO纳米阵列，然后清洗、干燥，微波部件表面形成银膜陷阱结构。

2.根据权利要求1所述的一种用于抑制微波部件表面二次电子发射的银膜陷阱结构的制备方法，其特征在于，步骤b）中所述的镀银的具体过程为：采用0.8～1.4V的沉积电压进行镀银，镀银时间为10min，或采用0.8～1.4V的沉积电压进行间隔镀银，第一次镀银的时间为10～25min，间隔10min后，进行第二次镀银，第二次镀银时间为10～20min；镀银的电解液为硝酸银的无水乙醇-水溶液。

3.根据权利要求1或2所述的一种用于抑制微波部件表面二次电子发射的银膜陷阱结构的制备方法，其特征在于，步骤b）之后还包括步骤c）：以步骤b）中清洗、干燥后的微波部件再次作为阴极，并以等面积的银箔为阳极，采用0.6～0.8V的沉积电压进行镀银，镀银完毕后，采用0.001mol/L～0.004mol/L的稀盐酸对微波部件进行腐蚀处理以进一步去除ZnO纳米阵列，然后清洗并干燥，微波部件表面形成银膜陷阱结构；其中，镀银的电解液为硝酸银的无水乙醇-水溶液。

4.根据权利要求3所述的一种用于抑制微波部件表面二次电子发射的银膜陷阱结构的制备方法，其特征在于，所述硝酸银的无水乙醇-水溶液的浓度为0.01mol/L；步骤c）中镀银时间为10～25min；步骤b）中腐蚀处理的时间为2～5小时，步骤c）中腐蚀处理的时间为3小时。

5.根据权利要求4所述的一种用于抑制微波部件表面二次电子发射的银膜陷阱结构的制备方法，其特征在于，所述硝酸银的无水乙醇-水溶液指将硝酸银溶于无水乙醇与水按体积比为1:1～4:1混合的溶液中制得的。

6.根据权利要求1所述的一种用于抑制微波部件表面二次电子发射的银膜陷阱结构的制备方法，其特征在于，所述步骤a）中的微波部件表面涂覆前经过清洗，具体是将微波部件分别置于丙酮、无水乙醇、去离子水中超声清洗后烘干。

7.根据权利要求1中任意一项所述的一种用于抑制微波部件表面二次电子发射的银膜陷阱结构的制备方法，其特征在于，所述微波部件的材质为表面镀银的铝合金；所述烘干的温度为60～70℃。

8.根据权利要求1所述的一种用于抑制微波部件表面二次电子发射的银膜陷阱结构的制备方法，其特征在于，所述紫外灯的功率为300W，照射的时间为30～60min。

9.根据权利要求1所述的一种用于抑制微波部件表面二次电子发射的银膜陷阱结构的制备方法，其特征在于，所述锌盐溶液为等摩尔比的六水合硝酸锌和六亚甲基四胺组成的水溶液，其中锌离子的摩尔浓度为0.03～0.06mol/L，生长的时间为4～5小时。

10.根据权利要求1所述的一种用于抑制微波部件表面二次电子发射的银膜陷阱结构的制备方法，其特征在于，所述镀银中阳极和阴极间的垂直距离为1.0～2.5cm。