[发明专利]耗尽型金属氧化物半导体场效应管驱动器

摘要

驱动器电路被配置为使用耗尽型MOSFET供应输出电容器两端的输出电压。该驱动器电路包括位于MOSFET的两个端子之间的电阻器。在n‑沟道耗尽型MOSFET的情况下，电阻器被耦合到源极和栅极。该电路是电流控制的耗尽型驱动器，其驱动反向电流通过电阻器以在栅极处相对于源极建立负电势来截止耗尽型MOSFET。齐纳二极管耦合在耗尽型MOSFET的源极和输出电容器之间以在输出和MOSFET源极之间建立电压差。

主权项

1.一种电流驱动的基于耗尽型MOSFET的驱动器电路，包括：a.耗尽型MOSFET，其具有第一端子、第二端子和栅极，其中第一端子耦合到电源；b.输出电容器，其具有第一端子和第二端子，其中该输出电容器的第二端子被耦合为与地直接电接触；c.齐纳二极管，其具有耦合为与该耗尽型MOSFET的第二端子直接电接触的阴极和耦合为与该输出电容器的第一端子直接电接触的阳极；d.分压器，其耦合为与该输出电容器的第一端子直接电接触；e.晶体管，其具有接收驱动电压的第一端子、第二端子、以及耦合为与地直接电接触的第三端子，其中，晶体管的第一端子耦合为与分压器直接电接触，而且晶体管的第二端子耦合为与该耗尽型MOSFET的栅极直接电接触；以及f.电阻器，其具有第一端子和第二端子，其中，电阻器的第一端子耦合为与齐纳二极管的阴极直接电接触并且被耦合为与该耗尽型MOSFET的第二端子直接电接触，而且电阻器的第二端子耦合为与该耗尽型MOSFET的栅极直接电接触并且耦合为与该晶体管的第二端子直接电接触，使得经由该电阻器在该耗尽型MOSFET的第二端子和该耗尽型MOSFET的栅极之间形成连接。