[发明专利]耗尽型金属氧化物半导体场效应管驱动器

权利要求书

1.一种电流驱动的基于耗尽型MOSFET的驱动器电路，包括：

a.耗尽型MOSFET，其具有第一端子、第二端子和栅极，其中第一端子耦合到电源；

b.输出电容器，其具有第一端子和第二端子，其中该输出电容器的第二端子被耦合为与地直接电接触；

c.齐纳二极管，其具有耦合为与该耗尽型MOSFET的第二端子直接电接触的阴极和耦合为与该输出电容器的第一端子直接电接触的阳极；

d.分压器，其耦合为与该输出电容器的第一端子直接电接触；

e.晶体管，其具有接收驱动电压的第一端子、第二端子、以及耦合为与地直接电接触的第三端子，其中，晶体管的第一端子耦合为与分压器直接电接触，而且晶体管的第二端子耦合为与该耗尽型MOSFET的栅极直接电接触；以及

f.电阻器，其具有第一端子和第二端子，其中，电阻器的第一端子耦合为与齐纳二极管的阴极直接电接触并且被耦合为与该耗尽型MOSFET的第二端子直接电接触，而且电阻器的第二端子耦合为与该耗尽型MOSFET的栅极直接电接触并且耦合为与该晶体管的第二端子直接电接触，使得经由该电阻器在该耗尽型MOSFET的第二端子和该耗尽型MOSFET的栅极之间形成连接。

2.如权利要求1所述的驱动器电路，其中，所述耗尽型MOSFET是N沟道MOSFET，而且电阻器的第一端子耦合到耗尽型MOSFET的源极。

3.如权利要求1所述的驱动器电路，其中，所述耗尽型MOSFET是P沟道MOSFET，而且电阻器的第一端子耦合到耗尽型MOSFET的漏极。

4.如权利要求1所述的驱动器电路，其中，所述分压器被配置为当输出电容器两端的电压等于或大于阈值电压时向晶体管的第一端子供应导通电压。

5.如权利要求1所述的驱动器电路，其中，当晶体管导通时，反向电流流过电阻器，由此导致耗尽型MOSFET的栅极和第二端子之间的负电压电势，所述负电压电势截止耗尽型MOSFET。

6.如权利要求5所述的驱动器电路，其中，所述反向电流顺序地从输出电容器流出，流过该电阻器并流过该晶体管。

7.如权利要求5所述的驱动器电路，其中，所述反向电流流动导致输出电容器两端的电压下降，而且其中，当输出电容器两端的电压下降到低于最小值时，供应给晶体管的第一端子的电压下降到低于导通电压并且晶体管截止。

8.如权利要求7所述的驱动器电路，其中，当晶体管截止时，反向电流停止而且耗尽型MOSFET导通。

9.一种驱动基于耗尽型MOSFET的驱动器电路的方法，该方法包括：

a.配置驱动器电路，所述驱动器电路包括耗尽型MOSFET、输出电容器、齐纳二极管、分压器、晶体管和电阻器，其中，该输出电容器包括第一端子和第二端子，该输出电容器的第二端子与地直接电接触，其中，耗尽型MOSFET包括耦合到电源的第一端子、耦合为与所述齐纳二极管的阴极直接电接触的第二端子和栅极，其中，所述齐纳二极管的阳极耦合为与所述输出电容器的第一端子直接电接触，其中，该分压器被耦合为与该输出电容器的第一端子直接电接触，其中，晶体管包括耦合为与该分压器直接电接触的第一端子、耦合为与该耗尽型MOSFET的栅极直接电接触的第二端子、以及耦合为与地直接电接触的第三端子，其中，电阻器包括耦合为与所述齐纳二极管的阴极直接电接触并且耦合为与耗尽型MOSFET的第二端子直接电接触的第一端子、和耦合为与耗尽型MOSFET的栅极直接电接触并且耦合为与该晶体管的第二端子直接电接触的第二端子，使得经由该电阻器在该耗尽型MOSFET的第二端子和该耗尽型MOSFET的栅极之间形成连接；以及

b.导通晶体管，从而驱动反向电流从第一端子通过电阻器流到第二端子，导致耗尽型MOSFET的栅极和耗尽型MOSFET的第二端子之间的负电压电势，该负电压电势截止耗尽型MOSFET。