[发明专利]一种等离子体装置有效
申请号: | 201410107906.3 | 申请日: | 2014-03-21 |
公开(公告)号: | CN104934345B | 公开(公告)日: | 2018-05-08 |
发明(设计)人: | 聂淼 | 申请(专利权)人: | 北京北方华创微电子装备有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/683 |
代理公司: | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人: | 彭瑞欣;张天舒 |
地址: | 100176 北*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明提供一种等离子体装置,用于承载衬底的静电卡盘、聚焦环、绝缘环、加热环和导热件,静电卡盘固定在绝缘环的上表面上,导热件和加热环均采用导热材料制成,加热环套置在静电卡盘的侧壁外侧,且叠置在绝缘环上,在加热环中设置有内嵌加热器,导热件设置在静电卡盘的侧壁外侧且靠近静电卡盘的外侧壁,且导热件与加热环相接触,导热件通过热传导的方式将热量从加热环传导至衬底,以使导热件的热量对衬底的边缘区域进行加热。本发明提供等离子体装置,可以实现对衬底的边缘区域进行加热,因而可以提高衬底的温度均匀性,从而可以提高工艺质量。 | ||
搜索关键词: | 一种 等离子体 装置 | ||
【主权项】:
1.一种等离子体装置,包括用于承载衬底的静电卡盘、聚焦环和绝缘环,所述静电卡盘固定在所述绝缘环的上表面上,其特征在于,还包括加热环和导热件,所述导热件和所述加热环均采用导热材料制成,其中所述加热环套置在所述静电卡盘的侧壁外侧,且叠置在所述绝缘环上,在所述加热环中设置有内嵌加热器,所述导热件设置在所述静电卡盘的侧壁外侧且靠近所述静电卡盘的外侧壁,且所述导热件与所述加热环相接触,所述导热件通过热传导的方式将热量从所述加热环传导至所述衬底,以使所述导热件的热量对所述衬底的边缘区域进行加热,以提高所述衬底的中心区域和边缘区域的温度的均匀性。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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