[发明专利]一种等离子体装置

权利要求书

1.一种等离子体装置，包括用于承载衬底的静电卡盘、聚焦环和绝缘环，所述静电卡盘固定在所述绝缘环的上表面上，其特征在于，还包括加热环和导热件，所述导热件和所述加热环均采用导热材料制成，其中

所述加热环套置在所述静电卡盘的侧壁外侧，且叠置在所述绝缘环上，在所述加热环中设置有内嵌加热器，所述导热件设置在所述静电卡盘的侧壁外侧且靠近所述静电卡盘的外侧壁，且所述导热件与所述加热环相接触，所述导热件通过热传导的方式将热量从所述加热环传导至所述衬底，以使所述导热件的热量对所述衬底的边缘区域进行加热，以提高所述衬底的中心区域和边缘区域的温度的均匀性。

2.根据权利要求1所述的等离子体装置，其特征在于，在所述加热环内还设置有温度传感器，用于检测所述加热环的温度，根据检测的所述加热环的温度对所述衬底边缘区域的温度进行控制。

3.根据权利要求2所述的等离子体装置，其特征在于，所述温度传感器包括光纤测温传感器。

4.根据权利要求1所述的等离子体装置，其特征在于，所述聚焦环套置在所述导热件的侧壁外侧，且所述聚焦环叠置在所述加热环上，并且

所述聚焦环采用不与所述等离子体装置所在的反应腔室内的工艺气体发生反应的材料制成。

5.根据权利要求1或4所述的等离子体装置，其特征在于，还包括基环，所述基环套置在所述静电卡盘的侧壁外侧，且所述基环叠置在所述绝缘环上，所述加热环叠置在所述基环上，并且

所述基环采用不与所述等离子体装置所在的反应腔室内的工艺气体发生反应的材料制成。

6.根据权利要求5所述的等离子体装置，其特征在于，所述基环与所述加热环为整体结构，且二者采用导热且不与所述反应腔室内的工艺气体发生反应的材料制成。

7.根据权利要求6所述的等离子体装置，其特征在于，所述导热且不与所述反应腔室内的工艺气体发生反应的材料包括三氧化二铝陶瓷材料或者氮化铝陶瓷材料。

8.根据权利要求1所述的等离子体装置，其特征在于，所述内嵌加热器采用丝印的方式印刷在所述加热环内。

9.根据权利要求1所述的等离子体装置，其特征在于，所述导热件为采用环形结构的导热环，或者所述导热件包括多个沿所述静电卡盘周向间隔且均匀设置的多个子导热件。

10.根据权利要求9所述的等离子体装置，其特征在于，所述导热环在其径向上的宽度的范围在3～5mm，或者，每个所述子导热件在所述静电卡盘的径向上的宽度的范围在3～5mm。