[发明专利]改性氧化钽薄膜的制备方法

摘要

本发明涉及一种改性氧化钽薄膜的制备方法，为各种微纳结构、不规则结构表面薄膜生长提供一种简单、可靠的方法，用氧化钽、表面活性剂、吡咯、氧化石墨烯、乙二醇和水配置电解液，采用循环伏安法沉积氧化钽功能薄膜，以饱和甘汞电极作为参比电极，铂丝作为对电极，基底作为工作电极；得到的氧化钽功能薄膜在气氛中进行热处理后自然冷却。该方法获得的薄膜均匀致密，膜厚可控，且与基底结合度高，具有较高的比容量，可用作超级电容器电极材料，适用于各种复杂形状、微纳结构的基底，且制备过程在常规条件下进行，操作简单，对设备无污染。

主权项

一种改性氧化钽薄膜的制备方法，其特征在于：包括步骤：（1）基底预处理，（2） 配置电解液， 去离子水作为溶剂，1ml电解液中含有5‑10mg氧化钽、5‑50mg表面活性剂、6.5‑16.1mg吡咯、0‑1mg氧化石墨烯，0‑8.6mg乙二醇；（3）在常温常压下，采用循环伏安法沉积氧化钽功能薄膜，三电极体系组成为：饱和甘汞电极作为参比电极，铂丝作为对电极，基底作为工作电极；循环伏安扫描时各参数设置为：扫描速率为5~100 mV/s ， 扫描电位范围为‑1.0~2.0 V ，扫描次数为50~100 圈；（4）将步骤（3）制备得到的氧化钽功能薄膜在气氛中进行热处理，热处理温度为100~400℃，升温速率为2.5~10℃/min，保温时间为1~10h，最后自然冷却。