[发明专利]半导体装置和半导体工艺有效
| 申请号： | 201410101647.3 | 申请日： | 2014-03-18 |
| 公开（公告）号： | CN104934391B | 公开（公告）日： | 2018-05-18 |
| 发明（设计）人： | 黄哲豪;欧英德 | 申请（专利权）人： | 日月光半导体制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/48 | 分类号： | H01L23/48;H01L23/64;H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 林斯凯 |
| 地址： | 中国台湾高雄*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种半导体装置和半导体工艺。所述半导体装置包含衬底、电路层、多个凸块下金属层UBM、重新分布层和多个互连金属。所述衬底具有有源表面和无源表面。所述电路层和所述凸块下金属层UBM邻设于所述有源表面。所述重新分布层邻设于所述无源表面。所述互连金属电性连接所述电路层和所述重新分布层。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 工艺 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置，其包括：衬底；导电通孔，其形成于所述衬底中，所述导电通孔具有与所述衬底的无源表面实质上共平面的第一末端；电路层，其邻设于所述衬底的有源表面且电性连接到所述导电通孔的第二末端；重新分布层，其邻设于所述衬底的所述无源表面，所述重新分布层具有第一部分和第二部分，所述第一部分设置于所述第一末端上且电性连接到所述第一末端，所述第二部分向上定位且远离所述第一部分；以及裸片，其邻设于所述衬底的所述无源表面且电性连接到所述重新分布层的所述第二部分，其中所述电路层和所述裸片各自进一步包括至少一个集成被动装置。
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