[发明专利]闪存单元及其制造方法

摘要

本发明实施例公开了一种闪存单元及其制造方法。其中，方法包括刻蚀去除半导体衬底单元上的部分控制栅偏移氧化层；刻蚀去除擦除栅区域底部和字线区域底部的部分浮栅多晶硅，形成作为双台阶中上层台阶的浮栅尖端；分别在剩余的控制栅偏移氧化层上和字线区域的控制栅侧壁层上沉积一层薄氧化层；在擦除栅区域覆盖存储单元VT掩模，刻蚀去除字线区域侧的薄氧化层；去除存储单元VT掩模，并刻蚀去除擦除栅区域底部和字线区域底部剩余的浮栅多晶硅，形成浮栅，该浮栅具有双台阶的浮栅尖端；在擦除栅区域底部和擦除栅隧穿氧化层上形成擦除栅，在字线区域形成字线。本发明实施例可以有效提高分裂栅闪存单元的擦除效率。

主权项

一种闪存单元的制造方法，其特征在于，包括：刻蚀去除半导体衬底单元上的部分控制栅偏移氧化层，所述半导体衬底单元包括衬底、位于衬底上的浮栅氧化层、位于浮栅氧化层上的浮栅多晶硅和位于浮栅多晶硅上的一个以上控制栅组，组成每个控制栅组的两个控制栅之间为擦除栅区域，两个控制栅的另一侧分别为字线区域，控制栅的两侧分别具有一层控制栅侧壁层，擦除栅区域侧的控制栅侧壁层上具有一层控制栅偏移氧化层；刻蚀去除擦除栅区域底部和字线区域底部的部分浮栅多晶硅，形成作为双台阶中上层台阶的浮栅尖端；分别在剩余的控制栅偏移氧化层上和字线区域侧的控制栅侧壁层上沉积一层薄氧化层；在擦除栅区域覆盖存储单元VT掩模，刻蚀去除字线区域侧的薄氧化层；去除存储单元VT掩模，并刻蚀去除擦除栅区域底部和字线区域底部剩余的浮栅多晶硅，形成浮栅，所述浮栅具有双台阶的浮栅尖端；刻蚀去除擦除栅区域侧的薄氧化层和剩余的控制栅偏移氧化层；在擦除栅区域侧的控制栅侧壁层上沉积一层擦除栅隧穿氧化层，在字线区域侧的控制栅侧壁层上沉积一层浮栅侧壁层；分别在擦除栅区域和字线区域沉积多晶硅，在擦除栅区域底部和擦除栅隧穿氧化层上形成擦除栅，在字线区域形成字线。