[发明专利]液体蚀刻剂组成物以及蚀刻过程在审
| 申请号： | 201410100945.0 | 申请日： | 2014-03-18 |
| 公开（公告）号： | CN104795320A | 公开（公告）日： | 2015-07-22 |
| 发明（设计）人： | 麦可·崔斯坦·安德烈斯 | 申请（专利权）人： | 南亚科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/306 | 分类号： | H01L21/306;H01L21/02;C23F1/32 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人： | 臧建明 |
| 地址： | 中国台湾桃园县龟山*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供一种液体蚀刻剂组成物以及蚀刻过程。提供一基板。在基板上，有硅层以及在硅层中的多个金属电极。使用液体蚀刻剂组成物来移除硅层。液体蚀刻剂组成物包括主蚀刻剂、至少一添加剂以及水。主蚀刻剂由氢氧化四甲基铵（TMAH）所组成、由NH4OH所组成或由TMAH以及NH4OH所组成。添加剂包括羟胺或金属防蚀剂。水作为溶剂。 | ||
| 搜索关键词： | 液体 蚀刻 组成 以及 过程 | ||
【主权项】：
一种在动态随机存取存储器的电容器制作中的蚀刻过程，其特征在于，包括：提供基板，在所述基板上有硅层以及在所述硅层中的多个金属电极；以及使用液体蚀刻剂组成物移除所述硅层，所述液体蚀刻剂组成物包括：主蚀刻剂，由氢氧化四甲基铵TMAH所组成、由NH4OH所组成或由TMAH以及NH4OH所组成；至少一添加剂，包括羟胺或金属防蚀剂；以及水，作为溶剂。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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