[发明专利]液体蚀刻剂组成物以及蚀刻过程

权利要求书

1.一种在动态随机存取存储器的电容器制作中的蚀刻过程，其特征在于，包括：

提供基板，在所述基板上有硅层以及在所述硅层中的多个金属电极；以及

使用液体蚀刻剂组成物移除所述硅层，所述液体蚀刻剂组成物包括：

主蚀刻剂，由氢氧化四甲基铵TMAH所组成、由NH₄OH所组成或由TMAH以及NH₄OH所组成；

至少一添加剂，包括羟胺或金属防蚀剂；以及

水，作为溶剂。

2.根据权利要求1所述的蚀刻过程，其特征在于，相对于所述液体蚀刻剂组成物的总重量而言，所述添加剂包括在0.3wt%至0.7wt%范围内的量的羟胺。

3.根据权利要求2所述的蚀刻过程，其特征在于，所述主蚀刻剂由TMAH所组成，且在温度为65℃至85℃的范围内进行蚀刻。

4.根据权利要求2所述的蚀刻过程，其特征在于，所述主蚀刻剂由NH₄OH所组成，且在温度为50℃至70℃的范围内进行蚀刻。

5.根据权利要求1所述的蚀刻过程，其特征在于，相对于所述液体蚀刻剂组成物的总重量而言，所述至少一添加剂包括在1wt%至5wt%范围内的量的所述金属防蚀剂。

6.根据权利要求5所述的蚀刻过程，其特征在于，所述主蚀刻剂由TMAH所组成，且在温度为65℃至85℃的范围内进行蚀刻。

7.根据权利要求5所述的蚀刻过程，其特征在于，所述主蚀刻剂由NH₄OH所组成，且在温度为50℃至70℃的范围内进行蚀刻。

8.根据权利要求1所述的蚀刻过程，其特征在于，相对于所述液体蚀刻剂组成物的总重量而言，TMAH的量在4.5wt%至5.5wt%的范围内。

9.根据权利要求1所述的蚀刻过程，其特征在于，所述金属电极包括TiN，且所述金属防蚀剂包括TiN防蚀剂。

10.根据权利要求9所述的蚀刻过程，其特征在于，所述TiN防蚀剂包括选自由二质子的羧酸类化合物以及酚类化合物所组成的群组中的至少一化合物。

11.根据权利要求1所述的蚀刻过程，其特征在于，所述硅层包括多晶硅。

12.一种液体蚀刻剂组成物，用于蚀刻硅，其特征在于，包括：

主蚀刻剂，由氢氧化四甲基铵TMAH所组成、由NH₄OH所组成或由TMAH以及NH₄OH所组成；

至少一添加剂，包括羟胺或金属防蚀剂；以及

水，作为溶剂。

13.根据权利要求12所述的液体蚀刻剂组成物，其特征在于，相对于所述液体蚀刻剂组成物的总重量而言，所述添加剂包括在0.3wt%至0.7wt%范围内的量的羟胺。

14.根据权利要求12所述的液体蚀刻剂组成物，其特征在于，相对于所述液体蚀刻剂组成物的总重量而言，所述至少一添加剂包括在1wt%至5wt%范围内的量的所述金属防蚀剂。

15.根据权利要求12所述的液体蚀刻剂组成物，其特征在于，所述主蚀刻剂由TMAH所组成，相对于所述液体蚀刻剂组成物的总重量而言，TMAH的量在4.5wt%至5.5wt%的范围内。

16.根据权利要求12所述的液体蚀刻剂组成物，其特征在于，所述主蚀刻剂由NH₄OH所组成，所述NH₄OH由溶解在所述液体蚀刻剂组成物中的浓度为5wt%至10wt%的NH₃所形成。

17.根据权利要求12所述的液体蚀刻剂组成物，其特征在于，所述金属防蚀剂包括TiN防蚀剂。

18.根据权利要求17所述的液体蚀刻剂组成物，其特征在于，所述TiN防蚀剂包括选自由二质子的羧酸类化合物以及酚类化合物所组成的群组中的至少一化合物。