[发明专利]一种采用管式PECVD制备太阳能电池叠层减反射膜的方法

摘要

本发明公开了一种采用PECVD制备太阳能电池叠层减反射膜的方法，包括选取晶体硅片，对晶体硅片进行制绒和扩散工序，还包括在制绒和扩散后的晶体硅片的受光面上采用PECVD依次沉积SiOx、SiNx和SiOx叠层膜或SiOx、SiNx和SiOxNy叠层膜，以达到提高经后续常规工艺制得的太阳能电池片的光电转换效率以及抗电位诱发衰减PID特性，该方法对硅片损伤小，工艺简洁，便于规模化，且能降低硅片表面界面态，提高钝化效果，降低反射率，有利于改善电池的转换效率和抗PID特性。

主权项

一种采用管式PECVD制备太阳能电池叠层减反射膜的方法，包括选取晶体硅片，对晶体硅片进行制绒和扩散工序，其特征是：还包括在制绒和扩散后的晶体硅片的受光面上采用管式PECVD依次沉积SiOx、SiNx和SiOxNy叠层膜，以达到提高经后续常规工艺制得的太阳能电池片的光电转换效率以及抗电位诱发衰减PID特性；采用管式PECVD镀底层SiOx薄膜时，采用SiH4和N2O的混合气体作为气源，二者的体积比为1：10~35，沉积温度350~500℃；采用管式PECVD镀中间层SiNx薄膜时，采用SiH4和NH3的混合气体作为气源，二者的体积比为1：3~10，沉积温度350~500℃；采用管式PECVD镀顶层SiOxNy薄膜时，采用SiH4、N2O和NH3的 混合气体作为气源，二者的体积比为1：15~35：15~20，沉积温度为350~500℃。