[发明专利]一种采用管式PECVD制备太阳能电池叠层减反射膜的方法

权利要求书

1.一种采用管式PECVD制备太阳能电池叠层减反射膜的方法，包括选取晶体硅片，对晶体硅片进行制绒和扩散工序，其特征是：还包括在制绒和扩散后的晶体硅片的受光面上采用管式PECVD依次沉积SiOx、SiNx和SiOx叠层膜或SiOx、SiNx和SiOxNy叠层膜，以达到提高经后续常规工艺制得的太阳能电池片的光电转换效率以及抗电位诱发衰减PID特性。

2.根据权利要求1所述的采用管式PECVD制备太阳能电池叠层减反射膜的方法，其特征是：所述SiOx 、SiNx和SiOx叠层膜 或SiOx、SiNx和SiOxNy叠层膜的总膜厚为70~100nm，折射率为1.85~2.15。

3.根据权利要求2所述的采用管式PECVD制备太阳能电池叠层减反射膜的方法，其特征是：所述SiOx、SiNx和SiOx叠层膜或SiOx、SiNx和SiOxNy叠层膜中底层SiOx薄膜的膜厚为5~15nm，折射率为1.5~1.8。

4.根据权利要求2或3所述的采用管式PECVD制备太阳能电池叠层减反射膜的方法，其特征是：所述SiOx、SiNx和SiOx叠层膜或SiOx、SiNx和SiOxNy叠层膜中中间层薄膜SiNx薄膜的膜厚为45~65nm，折射率为2.0~2.2。

5.根据权利要2所述的采用管式PECVD制备太阳能电池叠层减反射膜的方法，其特征是：所述SiOx、SiNx和SiOx叠层膜或SiOx、SiNx和SiOxNy叠层膜中顶层SiOx或SiOxNy薄膜的膜厚为10~40nm，折射率为1.5~1.8。

6.根据权利要4所述的采用管式PECVD制备太阳能电池叠层减反射膜的方法，其特征是：所述SiOx、SiNx和SiOx叠层膜或SiOx、SiNx和SiOxNy叠层膜中顶层SiOx或SiOxNy薄膜的膜厚为10~40nm，折射率为1.5~1.8。

7.根据权利要求1所述的采用管式PECVD制备太阳能电池叠层减反射膜的方法，其特征是：采用管式PECVD镀底层SiOx薄膜时，采用SiH₄和N₂O的混合气体作为气源，二者的体积比为1：10~35，沉积温度350~500℃。

8.根据权利要求1或7所述的采用管式PECVD制备太阳能电池叠层减反射膜的方法，其特征是：采用管式PECVD镀中间层SiNx薄膜时，采用SiH₄和NH₃的混合气体作为气源，二者的体积比为1：3~10，沉积温度350~500℃。

9.根据权利要求1所述的采用管式PECVD制备太阳能电池叠层减反射膜的方法，其特征是：采用管式PECVD镀顶层SiOx薄膜时，采用SiH₄和N₂O的混合气体作为气源，二者的体积比为1：15~35，沉积温度为350~500℃；或采用管式PECVD镀顶层SiOxNy薄膜时，采用SiH₄、N₂O和NH₃的 混合气体作为气源，二者的体积比为1：15~35：15~20，沉积温度为350~500℃。