[发明专利]一种制备p型Cu2O薄膜的方法

摘要

本发明涉及一种用等离子体增强原子层沉积（PEALD）技术制备p型Cu₂O薄膜的方法，该方法是在PEALD系统中以NH₃作为掺杂，通过δ掺杂方式，首先在衬底上沉积一层NH₃，在沉积的NH₃基础上再层积一层Cu^I，紧接着层积一层O₂，生成一分子层氮气，n分子层Cu₂O的，完成一个周期，根据需要生长N个这样的周期。所获得的p型Cu₂O薄膜具有高的电学性能和良好的均匀性。通过控制反应周期数精确控制薄膜的厚度，形成达到原子层厚度精度的薄膜。可根据需要简单精确的对薄膜进行掺杂控制。

主权项

一种用等离子体增强原子层沉积（PEALD）技术制备p型Cu₂O薄膜的方法，具体实施步骤为：（1）    在PEALD中以NH₃作为掺杂，通过δ掺杂方式，获得p型Cu₂O薄膜。（2）    本方法首先在衬底上沉积一层NH₃。（3）    在沉积的NH₃基础上层积一层Cu^I。（4）    紧接着层积一层O₂，生成一分子层氮气，n分子层Cu₂O，完成一个周期。（5）    根据需要生长N个这样的周期。