[发明专利]一种制备p型Cu2O薄膜的方法

权利要求书

1.一种用等离子体增强原子层沉积（PEALD）技术制备p型Cu₂O薄膜的方法，具体实施步骤为：

（1）    在PEALD中以NH₃作为掺杂，通过δ掺杂方式，获得p型Cu₂O薄膜。

（2）    本方法首先在衬底上沉积一层NH₃。

（3）    在沉积的NH₃基础上层积一层Cu^I。

（4）    紧接着层积一层O₂，生成一分子层氮气，n分子层Cu₂O，完成一个周期。

（5）    根据需要生长N个这样的周期。

2.根据权利要求1所述的，本发明方法课制备高电学性能，良好均匀性的高质量p型Cu₂O薄膜。

3.根据权利要求1所述的，本发明方法课制备高电学性能，良好均匀性的高质量p型Cu₂O薄膜。

4.根据权利要求1所述的，本发明使用的PEALD技术中的前驱体是饱和化学吸附，这确保生成大面积均匀性的薄膜。

5.根据权利要求1所述的，本发明使用PEALD技术，可以通过控制反应周期数精确控制薄膜的厚度，形成达到原子层厚度精度的薄膜。

6.根据权利要求1所述的，本发明简单精确的对薄膜进行掺杂控制。