[发明专利]肖特基二极管及其制作方法有效
| 申请号： | 201410098318.8 | 申请日： | 2014-03-17 |
| 公开（公告）号： | CN103839801B | 公开（公告）日： | 2017-06-16 |
| 发明（设计）人： | 张怡 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/329 | 分类号： | H01L21/329;H01L29/872 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙)31237 | 代理人： | 郑玮 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种肖特基二极管及其制作方法，其中，所述制作方法包括提供半导体衬底，所述半导体衬底上形成有n型外延层；在所述半导体衬底及n型外延层中形成沟槽，所述沟槽呈环形；填充所述沟槽，并在所述沟槽上形成肖特基接触窗。本发明通过将沟槽设置成一环形，肖特基接触窗的四边都位于沟槽上，保证拐角处金属层填充的质量，降低金属层与n型外延层之间的接触电阻，并且降低边缘区域的电场，从而达到减小边缘区域四周的饱和漏电流的目的，同时还可以降低器件中其他区域的导通电阻，提高整个器件的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 肖特基 二极管 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
一种肖特基二极管的制作方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底上形成有n型外延层；在所述半导体衬底及n型外延层中形成沟槽，所述沟槽呈环形，由第一方向的沟槽和第二方向的沟槽围绕而成，所述第一方向的沟槽和第二方向的沟槽相互垂直；填充所述沟槽，并在所述沟槽上形成肖特基接触窗；所述肖特基接触窗的四边都位于所述沟槽之上；所述肖特基接触窗包括金属层以及位于所述金属层底部及侧壁的阻挡层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
