[发明专利]肖特基二极管及其制作方法有效
| 申请号： | 201410098318.8 | 申请日： | 2014-03-17 |
| 公开（公告）号： | CN103839801B | 公开（公告）日： | 2017-06-16 |
| 发明（设计）人： | 张怡 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/329 | 分类号： | H01L21/329;H01L29/872 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙)31237 | 代理人： | 郑玮 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 肖特基 二极管 及其 制作方法 | ||
1.一种肖特基二极管的制作方法，其特征在于，包括：
提供半导体衬底，所述半导体衬底上形成有n型外延层；
在所述半导体衬底及n型外延层中形成沟槽，所述沟槽呈环形，由第一方向的沟槽和第二方向的沟槽围绕而成，所述第一方向的沟槽和第二方向的沟槽相互垂直；
填充所述沟槽，并在所述沟槽上形成肖特基接触窗；所述肖特基接触窗的四边都位于所述沟槽之上；所述肖特基接触窗包括金属层以及位于所述金属层底部及侧壁的阻挡层。
2.如权利要求1所述的肖特基二极管的制作方法，其特征在于，所述环形为正方形。
3.如权利要求1所述的肖特基二极管的制作方法，其特征在于，所述环形为长方形。
4.如权利要求1所述的肖特基二极管的制作方法，其特征在于，所述阻挡层为钛层/氮化钛层，所述钛层形成于所述环形区域的侧壁和底部，所述氮化钛层形成于所述钛层上，或所述阻挡层为钽层/氮化钽层，所述钽层形成于所述环形区域的侧壁和底部，所述氮化钽层形成于所述钽层上。
5.如权利要求1所述的肖特基二极管的制作方法，其特征在于，所述金属层的材质为钨、铝、银、金、铜中的一种或多种。
6.一种使用权利要求1～5任一项所述的肖特基二极管的制作方法制作的肖特基二极管，其特征在于，包括：
半导体衬底，所述半导体衬底上形成有n型外延层；
所述半导体衬底及n型外延层上形成有沟槽，所述沟槽呈环形；所述沟槽由第一方向的沟槽和第二方向的沟槽围绕而成，所述第一方向的沟槽和第二方向的沟槽相互垂直；
在所述沟槽上形成有肖特基接触窗；所述肖特基接触窗的四边都位于所述沟槽之上；所述肖特基接触窗包括金属层以及位于所述金属层底部及侧壁的阻挡层。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
