[发明专利]具有重写能力和低写放大的非易失性存储器有效

专利信息
申请号: 201410096590.2 申请日: 2014-03-14
公开(公告)号: CN104050998B 公开(公告)日: 2019-09-03
发明(设计)人: H·纳扎里安;S·T·阮 申请(专利权)人: 科洛斯巴股份有限公司
主分类号: G11C7/18 分类号: G11C7/18;G11C8/14;G11C16/06
代理公司: 北京鸿元知识产权代理有限公司 11327 代理人: 许向彤;陈英俊
地址: 美国加*** 国省代码: 美国;US
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摘要: 本文描述了一种非易失性存储器架构,其具有为存储系统提供低写放大的写和重写能力。通过示例的方式公开了一种存储器阵列,其包括双端存储单元块和子块。该双端存储单元可被直接重写。在一些实施方式中促进了低至1的写放大值。此外,存储器阵列可具有输入输出复用器配置,从而降低了存储操作期间存储器架构的潜通路电流。
搜索关键词: 具有 重写 能力 放大 非易失性存储器
【主权项】:
1.一种用于与计算设备通信连接的固态非易失性存储器驱动器,包括:双端存储元件的阵列,其被配置为可与多条字线及多条位线结合工作,其中所述双端存储元件的阵列包括:所述双端存储元件的第一子集和所述双端存储元件的第二子集,所述第一子集包括等于或少于所述双端存储元件的一个页面,所述双端存储元件的所述第一子集与所述多条位线的对应子集连接并且通过源线被部分地访问,并且其中所述双端存储元件的所述第二子集与所述多条位线的所述对应子集连接并且也通过所述源线被部分地访问;存储控制器,其用于通过所述多条字线的一条字线激活访问晶体管以通过所述源线连接所述双端存储元件的所述第一子集,从而访问所述双端存储元件的所述第一子集,该存储控制器进一步用于写入数据集到所述双端存储元件的所述第一子集,以及重写所述双端存储元件的所述第一子集处的所述数据集,其中,所述双端存储元件包括电路元件,所述电路元件具有两个导电触头以及所述两个导电触头之间的有源区,其中,所述存储控制器用于在不擦除存储所述数据集的物理地址位置的情况下重写所述数据集,从而为所述计算设备提供等于1的写放大。
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