[发明专利]斜孔刻蚀方法有效
| 申请号： | 201410095205.2 | 申请日： | 2014-03-14 |
| 公开（公告）号： | CN104916577B | 公开（公告）日： | 2018-08-24 |
| 发明（设计）人： | 谢秋实 | 申请（专利权）人： | 北京北方华创微电子装备有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L21/311 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 彭瑞欣;张天舒 |
| 地址： | 100176 北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供一种斜孔刻蚀方法，其包括以下步骤：S1，将硅片正面键合在SiO2衬底上，并通过光刻曝光在硅片背面上形成具有刻蚀图形的掩膜；S2，对硅片交替进行刻蚀作业和沉积作业，同时，减小单次沉积作业的工艺时间与单次刻蚀作业的工艺时间的比值，以在硅片背面上形成具有预设刻蚀深度且倾斜角度大于90°的斜孔；S3，去除硅片背面上的掩膜，并将硅片正面与SiO2衬底去键合；然后，翻转硅片且将其背面键合在SiO2衬底上；S4，自硅片正面对硅片的厚度进行整体减薄，以使所述斜孔的底部完全暴露。本发明提供的斜孔刻蚀方法，其不仅能够获得倾斜角度小于90°的斜孔，而且还可以避免出现斜孔底部“长草”的现象。 | ||
| 搜索关键词： | 斜孔 硅片 刻蚀 硅片背面 衬底 键合 硅片正面 刻蚀作业 沉积 掩膜 光刻曝光 刻蚀图形 整体减薄 翻转 长草 减小 去除 预设 背面 暴露 | ||
【主权项】：
1.一种斜孔刻蚀方法，其特征在于，包括以下步骤：S1，将硅片正面键合在SiO2衬底上，并通过光刻曝光在硅片背面上形成具有刻蚀图形的预定厚度的掩膜；S2，对所述硅片交替进行刻蚀作业和沉积作业，同时减小单次沉积作业的工艺时间与单次刻蚀作业的工艺时间的比值，以在所述硅片背面上形成具有预设刻蚀深度且倾斜角度大于90°的斜孔；S3，去除所述硅片背面上的掩膜，并将所述硅片正面与所述SiO2衬底去键合；然后，翻转所述硅片且将其背面键合在SiO2衬底上；S4，自所述硅片正面对所述硅片的厚度进行整体减薄，以使所述斜孔的底部完全暴露。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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