[发明专利]斜孔刻蚀方法

权利要求书

1.一种斜孔刻蚀方法，其特征在于，包括以下步骤：

S1，将硅片正面键合在SiO₂衬底上，并通过光刻曝光在硅片背面上形成具有刻蚀图形的预定厚度的掩膜；

S2，对所述硅片交替进行刻蚀作业和沉积作业，同时减小单次沉积作业的工艺时间与单次刻蚀作业的工艺时间的比值，以在所述硅片背面上形成具有预设刻蚀深度且倾斜角度大于90°的斜孔；

S3，去除所述硅片背面上的掩膜，并将所述硅片正面与所述SiO₂衬底去键合；然后，翻转所述硅片且将其背面键合在SiO₂衬底上；

S4，自所述硅片正面对所述硅片的厚度进行整体减薄，以使所述斜孔的底部完全暴露。

2.如权利要求1所述的斜孔刻蚀方法，其特征在于，所述单次沉积作业的工艺时间与单次刻蚀作业的工艺时间的比值不大于2:5。

3.如权利要求1所述的斜孔刻蚀方法，其特征在于，在步骤S1中，所述硅片的厚度比实际需要的目标厚度大10～100μm。

4.如权利要求1所述的斜孔刻蚀方法，其特征在于，所述沉积作业和所述刻蚀作业交替循环的次数为50～500次。

5.如权利要求1所述的斜孔刻蚀方法，其特征在于，在步骤S3中，采用丙酮湿法去胶或者采用等离子体去胶机进行干法去胶的方式去除所述硅片背面上的掩膜。

6.如权利要求1所述的斜孔刻蚀方法，其特征在于，在步骤S4中，采用物理减薄自所述硅片正面对所述硅片的厚度进行整体减薄。

7.如权利要求1所述的斜孔刻蚀方法，其特征在于，在步骤S4中，采用等离子体干法刻蚀工艺减薄的方式自所述硅片正面对所述硅片的厚度进行整体减薄。

8.如权利要求7所述的斜孔刻蚀方法，其特征在于，所述等离子体干法刻蚀工艺的工艺参数包括：腔室压力为70mT；激励功率为2500W；偏压功率为50W；工艺气体为主刻蚀气体和辅助气体的混合气体，其中，所述主刻蚀气体为SF₆，且SF₆的流量为200sccm；所述辅助气体为O₂，且O₂的流量为50sccm；腔室温度为0℃。

9.如权利要求1所述的斜孔刻蚀方法，其特征在于，在步骤S2中，所述沉积作业的工艺参数包括：腔室压力为50mT；激励功率为2000W；偏压功率为0W；沉积气体为C₄F₈，且C₄F₈的流量为100sccm；工艺时间为2s；循环次数为100次；腔室温度为40℃；

所述刻蚀作业的工艺参数包括：腔室压力为50mT；激励功率为2000W；偏压功率为30W；刻蚀气体为SF₆，且SF₆的流量为200sccm；工艺时间为5s；循环次数为100次；腔室温度为40℃。

10.如权利要求1所述的斜孔刻蚀方法，其特征在于，在完成步骤S4之后，所述硅片的厚度为50～150μm。