[发明专利]具有减小振荡的功率开关模块及其制造方法有效
申请号: | 201410094334.X | 申请日: | 2014-03-14 |
公开(公告)号: | CN104134663B | 公开(公告)日: | 2017-04-12 |
发明(设计)人: | J.卢茨;H-J.舒尔策 | 申请(专利权)人: | 英飞凌科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/06 | 分类号: | H01L27/06;H01L21/822 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司72001 | 代理人: | 申屠伟进,胡莉莉 |
地址: | 德国瑙伊比*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本发明涉及具有减小振荡的功率开关模块及其制造方法。功率开关模块包括被设计用于额定电流的三端子功率半导体器件以及续流单元。续流单元包括集成在具有第一带隙的第一半导体材料中的pn二极管、和集成在具有比第一带隙大的第二带隙的第二半导体材料中的肖特基二极管。肖特基二极管并联地电连接到pn二极管。 | ||
搜索关键词: | 具有 减小 振荡 功率 开关 模块 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
一种功率开关模块,包括:三端子功率半导体器件,所述三端子功率半导体器件被设计用于额定电流;以及续流单元,所述续流单元包括集成在具有第一带隙的第一半导体材料中的pn二极管、以及集成在具有第二带隙的第二半导体材料中的肖特基二极管,其中,所述第二带隙比所述第一带隙大,其中,所述肖特基二极管并联地电连接到所述pn二极管,并且其中,所述pn二极管能够操作为在所述功率半导体器件的所述额定电流时具有反向峰值电流,所述反向峰值电流是所述肖特基二极管的电容电流峰值的0.5到1.8倍。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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