[发明专利]在金属电容上电极刻蚀制程中改善TDDB性能的方法

摘要

一种在金属电容上电极刻蚀制程中改善TDDB性能的方法，对上电极进行光刻，并用湿法刻蚀去除了光刻胶之后，利用混合气体对电容器件表面进行清洗，去除在蚀刻和清洗过程中引入的H离子，从而提高电容器的抗击穿性能，避免晶片失效。

主权项

1.一种在金属电容上电极刻蚀制程中改善TDDB性能的方法，其特征在于，该方法包含以下步骤：步骤1、对上电极进行光刻；将沉积有铝Al金属层/氮化硅SiN电介质层/氮化钛TiN金属层结构的晶片放入ET刻蚀机台的刻蚀腔体内，在氮化钛TiN金属层表面设置光刻胶，采用等离子体刻蚀的方法，对氮化硅SiN电介质层和氮化钛TiN金属层进行刻蚀，把事先定义好的图形转移到金属/电介质/金属的结构表面形成电容器件；步骤2、去除光刻胶；采用干法去除大部分光刻胶后，再采用化学溶剂湿法清洗去除剩余的光刻胶；步骤3、对电容器件表面进行混合气体处理；对电容器件表面进行混合气体处理，混合气体中的主要反应气体是氧气O2，利用O2和H离子反应，去除在步骤1的蚀刻和步骤2的清洗过程中引入的H离子；步骤4、测量剩余电介质的厚度；清洗后监控剩余的电介质层的厚度T，以表征ET刻蚀机台是否稳定；步骤5、刻蚀后检查；刻蚀后检查，对晶片表面和背面全面检查。