[发明专利]在金属电容上电极刻蚀制程中改善TDDB性能的方法

权利要求书

1.一种在金属电容上电极刻蚀制程中改善TDDB性能的方法，其特征在于，该方法包含以下步骤：

步骤1、对上电极进行光刻；

将沉积有铝Al金属层/氮化硅SiN电介质层/氮化钛TiN金属层结构的晶片放入ET刻蚀机台的刻蚀腔体内，在氮化钛TiN金属层表面设置光刻胶，采用等离子体刻蚀的方法，对氮化硅SiN电介质层和氮化钛TiN金属层进行刻蚀，把事先定义好的图形转移到金属/电介质/金属的结构表面形成电容器件；

步骤2、去除光刻胶；

采用干法去除大部分光刻胶后，再采用化学溶剂湿法清洗去除剩余的光刻胶；

步骤3、对电容器件表面进行混合气体处理；

对电容器件表面进行混合气体处理，混合气体中的主要反应气体是氧气O₂，利用O₂和H离子反应，去除在步骤1的蚀刻和步骤2的清洗过程中引入的H离子；

步骤4、测量剩余电介质的厚度；

清洗后监控剩余的电介质层的厚度T，以表征ET刻蚀机台是否稳定；

步骤5、刻蚀后检查；

刻蚀后检查，对晶片表面和背面全面检查。

2.如权利要求1所述的在金属电容上电极刻蚀制程中改善TDDB性能的方法，其特征在于，所述的混合气体包含氧气O₂和氢气H₂，或者包含氧气O₂和氮气N₂。