[发明专利]一种化学机械研磨的方法有效
| 申请号： | 201410093053.2 | 申请日： | 2014-03-13 |
| 公开（公告）号： | CN104916536B | 公开（公告）日： | 2018-09-21 |
| 发明（设计）人： | 张静 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/321 | 分类号： | H01L21/321;B24B37/04 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 董巍;高伟 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种化学机械研磨的方法，包括步骤（a）提供晶圆；步骤（b）在所述晶圆的表面上提供研磨液，并先后执行高下压力研磨步骤和第一低下压力研磨步骤；步骤（c）执行主清洗步骤，以去除部分所述研磨液和残留物，并使剩余的研磨液分布均匀；步骤（d）执行第二低下压力研磨步骤，在该步骤中不再涂覆研磨液，通过研磨去除所述晶圆上的缺陷同时去除剩余的所述研磨液。在本发明中通过添加主清洗步骤，以使在高下压力研磨、低下压力研磨之后所述晶圆具有较为平整的表面，最后执行的低下压力研磨步骤不仅可以去除晶圆上残留的研磨液，还可解决研磨液残留的问题，彻底的清洗晶圆，以进一步提高晶圆的良率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 化学 机械 研磨 方法 | ||
【主权项】：
1.一种化学机械研磨的方法，包括：步骤(a)提供晶圆；步骤(b)在所述晶圆的表面上提供研磨液，并先后执行高下压力研磨步骤和第一低下压力研磨步骤；步骤(c)执行主清洗步骤，以去除部分所述研磨液和残留物，并使剩余的研磨液分布均匀；步骤(d)执行第二低下压力研磨步骤，在该步骤中不再涂覆研磨液，通过研磨去除所述晶圆上的缺陷同时去除剩余的所述研磨液，以进一步提高晶圆的良率。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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