[发明专利]一种化学机械研磨的方法有效
| 申请号： | 201410093053.2 | 申请日： | 2014-03-13 |
| 公开（公告）号： | CN104916536B | 公开（公告）日： | 2018-09-21 |
| 发明（设计）人： | 张静 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/321 | 分类号： | H01L21/321;B24B37/04 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 董巍;高伟 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 化学 机械 研磨 方法 | ||
1.一种化学机械研磨的方法，包括：
步骤(a)提供晶圆；
步骤(b)在所述晶圆的表面上提供研磨液，并先后执行高下压力研磨步骤和第一低下压力研磨步骤；
步骤(c)执行主清洗步骤，以去除部分所述研磨液和残留物，并使剩余的研磨液分布均匀；
步骤(d)执行第二低下压力研磨步骤，在该步骤中不再涂覆研磨液，通过研磨去除所述晶圆上的缺陷同时去除剩余的所述研磨液，以进一步提高晶圆的良率。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述晶圆上形成有元器件层和掩膜层。
3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述元器件层包括浮栅层，所述浮栅层选用多晶硅层；
所述掩膜层选用等离子体氧化物层。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述步骤(b)中将所述晶圆研磨至目标厚度。
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述步骤(c)中执行主清洗步骤，以平整所述晶圆表面。
6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述高下压力研磨步骤的研磨时间为40-50s，以去除部分所述晶圆。
7.根据权利要求1或6所述的方法，其特征在于，所述高下压力研磨步骤的研磨时间为45s。
8.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述第一低下压力研磨步骤的时间由剩余所述晶圆的厚度以及所述晶圆的目标厚度确定。
9.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述步骤(c)中主清洗步骤的时间为5-15s。
10.根据权利要求1或9所述的方法，其特征在于，所述步骤(c)中主清洗步骤的时间为8s。
11.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第二低下压力研磨步骤的时间为1-5s。
12.根据权利要求1或11所述的方法，其特征在于，所述第二低下压力研磨步骤的时间为2s。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司，未经中芯国际集成电路制造（上海）有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201410093053.2/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种应变沟道晶体管及其制备方法
- 下一篇：用于集成电路图案化的方法
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
