[发明专利]一种VDMOS器件及其制造方法在审
| 申请号： | 201410090107.X | 申请日： | 2014-03-12 |
| 公开（公告）号： | CN104916686A | 公开（公告）日： | 2015-09-16 |
| 发明（设计）人： | 李理;马万里;赵圣哲 | 申请（专利权）人： | 北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/423;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人： | 刘芳 |
| 地址： | 100871 北京市海*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供一种VDMOS器件及其制造方法，该制造方法包括：在硅衬底的栅极沟槽内部形成栅氧化层并填充多晶硅；形成体区；向硅衬底依次注入第一离子和第二离子，经退火处理，在栅极沟槽两侧形成源极接触区，其中第一离子和第二离子的类型相同，并且第一离子的能量大于第二离子的能量，第一离子的剂量小于第二离子的剂量；形成介质层；在介质层上形成源极沟槽掩膜后，对硅衬底进行刻蚀，在源极接触区之间形成源极沟槽；去除源极沟槽掩膜，在硅衬底表面形成金属层。本发明提供的VDMOS器件的制造方法在不改变器件结构、不增加器件制造工艺难度以及制造成本的情况下即可降低VDMOS器件的接触电阻，从而提高器件性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 vdmos 器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种VDMOS器件的制造方法，包括如下步骤：在硅衬底的外延层内部形成栅极沟槽；在所述栅极沟槽内部形成栅氧化层；在形成有所述栅氧化层的栅极沟槽内部填充多晶硅；向填充有所述多晶硅的硅衬底注入离子，在所述外延层内部形成体区；在所述体区上形成源区注入掩膜；向形成有所述源区注入掩膜的硅衬底依次注入第一离子和第二离子，经退火处理，在所述栅极沟槽两侧形成源极接触区，其中所述第一离子和第二离子的类型相同，并且所述第一离子的能量大于所述第二离子的能量，所述第一离子的剂量小于所述第二离子的剂量；去除所述源区注入掩膜，并在形成有所述源极接触区的硅衬底上形成一层或多层介质层；在所述介质层上形成源极沟槽掩膜；对形成有所述源极沟槽掩膜的硅衬底进行刻蚀，在所述源极接触区之间形成源极沟槽；去除所述源极沟槽掩膜，并在形成有所述源极沟槽的硅衬底表面形成金属层。
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