[发明专利]一种VDMOS器件及其制造方法

权利要求书

1.一种VDMOS器件的制造方法，包括如下步骤：

在硅衬底的外延层内部形成栅极沟槽；

在所述栅极沟槽内部形成栅氧化层；

在形成有所述栅氧化层的栅极沟槽内部填充多晶硅；

向填充有所述多晶硅的硅衬底注入离子，在所述外延层内部形成体区；

在所述体区上形成源区注入掩膜；

向形成有所述源区注入掩膜的硅衬底依次注入第一离子和第二离子，经退火处理，在所述栅极沟槽两侧形成源极接触区，其中所述第一离子和第二离子的类型相同，并且所述第一离子的能量大于所述第二离子的能量，所述第一离子的剂量小于所述第二离子的剂量；

去除所述源区注入掩膜，并在形成有所述源极接触区的硅衬底上形成一层或多层介质层；

在所述介质层上形成源极沟槽掩膜；

对形成有所述源极沟槽掩膜的硅衬底进行刻蚀，在所述源极接触区之间形成源极沟槽；

去除所述源极沟槽掩膜，并在形成有所述源极沟槽的硅衬底表面形成金属层。

2.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述栅极沟槽的深度为0.1～10um。

3.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述源区注入掩膜的材料为光刻胶、多晶硅、氮化硅和氧化硅中的一种或多种，所述源极沟槽掩膜的材料为光刻胶、多晶硅、氮化硅和氧化硅中的一种或多种。

4.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述离子的类型为P型，所述第一离子和所述第二离子的类型为N型。

5.根据权利要求4所述的制造方法，其特征在于，所述离子的能量为50～150KeV，剂量为10¹²～10¹⁴/cm²。

6.根据权利要求4所述的制造方法，其特征在于，所述第一离子的能量为150～400KeV，所述第一离子的剂量为10¹³～10¹⁴/cm²，所述第二离子的能量为30～100KeV，所述第二离子的剂量为10¹⁴～10¹⁵/cm²。

7.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述退火处理的温度为700～1200℃，时间为10～400分钟。

8.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述介质层为多晶硅层、氮化硅层和氧化硅层中的一种或多种。

9.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述源极沟槽的深度为0.1～10um，并且所述源极沟槽的底部高于所述栅极沟槽的底部。

10.一种VDMOS器件，其特征在于，包括：

硅衬底，其表面设有外延层；

设置在所述外延层内部的栅极沟槽和体区，所述栅极沟槽表面设有栅氧化层，所述栅氧化层上填充有多晶硅；

设置在所述栅极沟槽两侧的源极接触区，所述源极接触区通过依次注入第一离子和第二离子所形成，所述第一离子和第二离子的类型相同，并且所述第一离子的能量大于所述第二离子的能量，所述第一离子的剂量小于所述第二离子的剂量；

设置在所述源极接触区之间的源极沟槽；

设置在所述栅极沟槽、体区和源极接触区表面的一层或多层介质层；

设置在所述介质层和所述源极沟槽表面的金属层。