[发明专利]一种银纳米颗粒辅助两次刻蚀硅微纳米洞减反射织构的制备方法

摘要

本发明公开了一种银纳米颗粒辅助两次刻蚀硅微纳米洞减反射织构的制备方法，先在清洗后的单晶硅片上镀或沉积一层纳米银粒子，通过一次刻蚀制备出具有较大孔洞的硅微纳米减反射织构，然后将硅微纳米孔洞织构在惰性气氛中退火处理，使纳米银粒子在高温下变为较小的球状并进行二次刻蚀，在较大的孔洞内形成较小孔洞的分层结构，之后利用浓硝酸去银，从而实现了对硅表面刻蚀结构的优化，提高了硅片的减反射效果。

主权项

一种银纳米颗粒辅助两次刻蚀硅微纳米洞减反射织构的制备方法，它由下述步骤组成：（1）清洗单晶硅片表面；（2）在清洗后的单晶硅片表面镀一层纳米银颗粒或沉积一层纳米银颗粒；（3）将镀银或沉积银后的单晶硅片置于刻蚀液中进行第一次刻蚀；（4）将第一次刻蚀后的单晶硅片置于惰性气氛中，300～700℃退火30～90分钟，然后自然冷却至常温；（5）将步骤（4）处理后的单晶硅片置于刻蚀液中进行第二次刻蚀；（6）将第二次刻蚀后的单晶硅片置于硝酸水溶液中超声清洗，得到硅微纳米洞减反射织构；上述的步骤（3）和（5）中，所用的刻蚀液的质量百分比组成为HF5%～20%、H₂O₂10%～25%、其余为去离子水。