[发明专利]一种银纳米颗粒辅助两次刻蚀硅微纳米洞减反射织构的制备方法

权利要求书

1.一种银纳米颗粒辅助两次刻蚀硅微纳米洞减反射织构的制备方法，它由下述步骤组成：

（1）清洗单晶硅片表面；

（2）在清洗后的单晶硅片表面镀一层纳米银颗粒或沉积一层纳米银颗粒；

（3）将镀银或沉积银后的单晶硅片置于刻蚀液中进行第一次刻蚀；

（4）将第一次刻蚀后的单晶硅片置于惰性气氛中，300～700℃退火30～90分钟，然后自然冷却至常温；

（5）将步骤（4）处理后的单晶硅片置于刻蚀液中进行第二次刻蚀；

（6）将第二次刻蚀后的单晶硅片置于硝酸水溶液中超声清洗，得到硅微纳米洞减反射织构；

上述的步骤（3）和（5）中，所用的刻蚀液的质量百分比组成为HF5%～20%、H₂O₂10%～25%、其余为去离子水。

2.根据权利要求1所述的银纳米颗粒辅助两次刻蚀硅微纳米洞减反射织构的制备方法，其特征在于：所述的步骤（1）是在常温下，将单晶硅片依次用丙酮、乙醇超声清洗后，再用H₂O₂与H₂SO₄、H₂O的体积比为1:3:5的混合液超声清洗，然后用去离子水冲洗干净并用氮气吹干。

3.根据权利要求1所述的银纳米颗粒辅助两次刻蚀硅微纳米洞减反射织构的制备方法，其特征在于：所述的步骤（2）是采用银镜反应在清洗后的单晶硅片表面镀一层纳米银颗粒或采用磁控溅射法在清洗后的单晶硅片表面沉积一层纳米银颗粒。

4.根据权利要求1所述的银纳米颗粒辅助两次刻蚀硅微纳米洞减反射织构的制备方法，其特征在于：所述的步骤（3）中，第一次刻蚀的时间为5～30分钟。

5.根据权利要求1所述的银纳米颗粒辅助两次刻蚀硅微纳米洞减反射织构的制备方法，其特征在于：所述的步骤（4）是将第一次刻蚀后的单晶硅片置于惰性气氛中，400℃退火60分钟，然后自然冷却至常温。

6.根据权利要求1所述的银纳米颗粒辅助两次刻蚀硅微纳米洞减反射织构的制备方法，其特征在于：所述的步骤（5）中，第二次刻蚀的时间为5～30分钟。

7.根据权利要求1所述的银纳米颗粒辅助两次刻蚀硅微纳米洞减反射织构的制备方法，其特征在于：所述的步骤（6）中，将第二次刻蚀后的单晶硅片置于硝酸水溶液中超声清洗5～15分钟，其中硝酸水溶液的浓度为3～7mol/L。

8.根据权利要求1所述的银纳米颗粒辅助两次刻蚀硅微纳米洞减反射织构的制备方法，其特征在于：所述的步骤（3）和（5）中，刻蚀液的质量百分比组成为HF10%、H₂O₂15%、去离子水75%。