[发明专利]一种横向扩散半导体器件及其制备方法有效
| 申请号： | 201410081257.4 | 申请日： | 2014-03-06 |
| 公开（公告）号： | CN104900524B | 公开（公告）日： | 2018-04-13 |
| 发明（设计）人： | 王海强;宋慧芳;曹国豪;陈宗高;程勇 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/28;H01L29/78;H01L29/40;H01L29/08;H01L29/06 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所11336 | 代理人： | 董巍,高伟 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种横向扩散半导体器件及其制备方法，所述方法包括提供半导体衬底，在所述半导体衬底中形成有横向隔离的体区和漂移区，所述半导体衬底上还形成有相互隔离的栅极结构和虚拟栅极结构，其中，所述栅极结构部分位于所述体区上，部分位于所述漂移区上，所述虚拟栅极结构位于所述漂移区上；执行源漏注入步骤，以在所述栅极结构一侧的所述体区中形成源区，在所述虚拟栅极结构远离所述源区的一侧的所述漂移区中形成漏区；在所述源区和所述漏区上方分别形成源区金属层和漏区金属层，以形成电连接，其中所述源区金属层向所述漏区延伸，以形成场板结构。本发明的优点在于（1）新的结构中无STI结构，可极大降低导通电阻Rdson。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 横向 扩散 半导体器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种横向扩散半导体器件的制备方法，包括：提供半导体衬底，在所述半导体衬底中形成有横向隔离的体区和漂移区，所述半导体衬底上还形成有相互隔离的栅极结构和虚拟栅极结构，其中，所述栅极结构部分位于所述体区上，部分位于所述漂移区上，所述虚拟栅极结构位于所述漂移区上；执行源漏注入步骤，以在所述栅极结构一侧的所述体区中形成源区，在所述虚拟栅极结构远离所述源区的一侧的所述漂移区中形成漏区；在所述源区和所述漏区上方分别形成源区金属层和漏区金属层，以形成电连接，其中所述源区金属层向所述漏区延伸，以形成场板结构；在执行源漏注入之前，所述方法还包括：在所述栅极和所述虚拟栅极间的间隙下方的漂移区中形成掺杂区，所述掺杂区的掺杂类型和所述漂移区的掺杂类型相反。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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