[发明专利]一种横向扩散半导体器件及其制备方法

权利要求书

1.一种横向扩散半导体器件的制备方法，包括：

提供半导体衬底，在所述半导体衬底中形成有横向隔离的体区和漂移区，所述半导体衬底上还形成有相互隔离的栅极结构和虚拟栅极结构，其中，所述栅极结构部分位于所述体区上，部分位于所述漂移区上，所述虚拟栅极结构位于所述漂移区上；

执行源漏注入步骤，以在所述栅极结构一侧的所述体区中形成源区，在所述虚拟栅极结构远离所述源区的一侧的所述漂移区中形成漏区；

在所述源区和所述漏区上方分别形成源区金属层和漏区金属层，以形成电连接，其中所述源区金属层向所述漏区延伸，以形成场板结构；

在执行源漏注入之前，所述方法还包括：

在所述栅极和所述虚拟栅极间的间隙下方的漂移区中形成掺杂区，所述掺杂区的掺杂类型和所述漂移区的掺杂类型相反。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，形成所述栅极结构和所述虚拟栅极结构的方法为：

沉积栅极介电层，所述栅极介电层部分位于所述体区上，部分位于所述漂移区上；

在所述栅极介电层上形成栅极材料层并图案化，形成具有间隙的栅极和虚拟栅极；

在所述栅极和所述虚拟栅极的侧壁上形成间隙壁，以形成所述栅极结构和所述虚拟栅极结构。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述掺杂区的形成方法为：

形成LDD离子注入光罩，执行LDD离子注入，在所述体区和所述漂移区中形成浅掺杂源漏区；

利用所述LDD离子注入光罩，再次执行离子注入，以形成所述掺杂区。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述掺杂区的形成方法为：

在所述半导体衬底上形成图案化的掩膜层，以露出所述栅极和所述虚拟栅极间的间隙下方的漂移区；

执行离子注入步骤，以形成所述掺杂区。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述源区金属层延伸至所述虚拟栅极结构的上方。

6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法还包括在所述源区和所述漏区上方分别形成源区接触孔和漏区接触孔，以分别电连接所述源区金属层和所述漏区金属层。

7.一种横向扩散半导体器件，包括：

半导体衬底；

横向隔离的体区和漂移区，位于所述半导体衬底中；

栅极结构和虚拟栅极结构，所述栅极结构和虚拟栅极结构之间具有间隙，其中所述栅极结构部分位于所述体区上，部分位于所述漂移区上，所述虚拟栅极结构位于所述漂移区上；

源区和漏区，所述源区位于所述栅极结构一侧的所述体区中，所述漏区位于所述虚拟栅极结构远离所述源区一侧的所述漂移区中，其中所述漏区与所述漂移区具有相反类型的离子注入；

源区金属层和漏区金属层，分别与所述源区和所述漏区电连接，其中所述源区金属层向所述漏区延伸，以形成场板结构；

所述器件还包括掺杂区，位于所述栅极结构和虚拟栅极结构之间的所述间隙下方的漂移区中，所述掺杂区的掺杂类型和所述漂移区的掺杂类型相反。

8.根据权利要求7所述的器件，其特征在于，所述器件还包括源区接触孔和漏区接触孔，分别位于所述源区金属层、源区之间和所述漏区金属层、所述漏区之间，以实现电连接。