[发明专利]一种石墨烯硅基太阳能电池及其制造方法有效
申请号: | 201410081157.1 | 申请日: | 2014-03-06 |
公开(公告)号: | CN103840017A | 公开(公告)日: | 2014-06-04 |
发明(设计)人: | 况亚伟;刘玉申;马玉龙;薛春荣;徐竞 | 申请(专利权)人: | 常熟理工学院 |
主分类号: | H01L31/0224 | 分类号: | H01L31/0224;H01L31/18;H01L31/04 |
代理公司: | 南京苏高专利商标事务所(普通合伙) 32204 | 代理人: | 张俊范 |
地址: | 215500 江*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本发明公开了一种石墨烯硅基太阳能电池,包括背电极,背电极上设置单晶硅片,单晶硅片上设置二氧化硅层,所述二氧化硅层是具有通孔的环状结构,所述二氧化硅层的表面和由二氧化硅层通孔暴露的单晶硅片表面设置石墨烯薄膜,所述由二氧化硅层通孔暴露的单晶硅片表面还设有栅线电极。本发明还公开了该石墨烯硅基太阳能电池的制造方法。该石墨烯硅基异质结电池通过栅线电极调节石墨烯硅基肖特基结的势垒大小,降低硅表面的电荷复合效应,提高载流子分离和传输的效率,从而提高电池的光电转换效率,同时解决现有石墨烯硅基太阳能电池光电转换效率随器件尺寸增大而降低的问题。 | ||
搜索关键词: | 一种 石墨 烯硅基 太阳能电池 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
一种石墨烯硅基太阳能电池,其特征在于:包括背电极,背电极上设置单晶硅片,单晶硅片上设置二氧化硅层,所述二氧化硅层是具有通孔的环状结构,所述二氧化硅层的表面和由二氧化硅层通孔暴露的单晶硅片表面设置石墨烯薄膜,所述由二氧化硅层通孔暴露的单晶硅片表面还设有栅线电极。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
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H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的