[发明专利]一种石墨烯硅基太阳能电池及其制造方法

权利要求书

1.一种石墨烯硅基太阳能电池，其特征在于：包括背电极，背电极上设置单晶硅片，单晶硅片上设置二氧化硅层，所述二氧化硅层是具有通孔的环状结构，所述二氧化硅层的表面和由二氧化硅层通孔暴露的单晶硅片表面设置石墨烯薄膜，所述由二氧化硅层通孔暴露的单晶硅片表面还设有栅线电极。

2.根据权利要求1所述的石墨烯硅基太阳能电池，其特征在于：所述栅线电极S形布置。

3.根据权利要求1所述的石墨烯硅基太阳能电池，其特征在于：所述栅线电极包括主栅线电极和副栅线电极，所述主栅线电极和副栅线电极交错成网格状布置。

4.根据权利要求1所述的石墨烯硅基太阳能电池，其特征在于：所述栅线电极包括主栅线电极和副栅线电极，所述主栅线电极将单晶硅片表面分为若干副栅线电极区，所述副栅线电极布置于副栅线电极区内并与主栅线电极连接，副栅线电极与主栅线电极夹角α为30°～80°，所述相邻副栅线电极区内副栅线电极以划分相邻副栅线电极区的主栅线电极为对称轴对称布置。

5.根据权利要求1至4中任一项所述的石墨烯硅基太阳能电池，其特征在于：所述栅线电极材料由Au、Ag、Pt、Ni、ZnO、ITO、TiO₂及其纳米材料的一种或几种构成。

6.一种石墨烯硅基太阳能电池的制造方法，其特征在于：依次包括在单晶硅片前表面制备环状二氧化硅层；在二氧化硅层的表面和由二氧化硅层通孔暴露的单晶硅片表面制备石墨烯薄膜；在位于二氧化硅层通孔内的石墨烯薄膜表面制备栅线电极；在单晶硅片后表面制备背电极。

7.一种石墨烯硅基太阳能电池的制造方法，其特征在于：依次包括在单晶硅片前表面制备环状二氧化硅层；在二氧化硅层通孔暴露的单晶硅片表面制备栅线电极；在二氧化硅层的表面和由二氧化硅层通孔暴露的单晶硅片表面制备石墨烯薄膜；在单晶硅片后表面制备背电极。

8.根据权利要求6或7所述的石墨烯硅基太阳能电池的制造方法，其特征在于：采用直接转移、甩膜、喷涂、浸沾、过滤或石墨烯有机悬浮液平铺方式制备石墨烯薄膜。

9.根据权利要求6或7所述的石墨烯硅基太阳能电池的制造方法，其特征在于：采用丝网印刷、光刻或喷墨方式制备栅线电极。