[发明专利]沟槽场效应晶体管及其形成方法在审
| 申请号： | 201410081140.6 | 申请日： | 2014-03-06 |
| 公开（公告）号： | CN103871900A | 公开（公告）日： | 2014-06-18 |
| 发明（设计）人： | 楼颖颖 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种沟槽场效应晶体管及其形成方法。其中，所述沟槽场效应晶体管包括：半导体衬底；位于所述半导体衬底第一表面上的外延层；位于所述外延层中的多个分立的栅极；位于所述外延层内且位于所述栅极外围的栅介质层，所述栅介质层上表面、所述栅极上表面与所述外延层上表面齐平；位于所述外延层中且位于相邻两个栅极之间的体区，所述体区与所述栅极通过所述栅介质层隔离；所述体区的深度从中间位置向栅极方向逐渐增大。由于所述体区的深度从中间位置向栅极方向逐渐增大，即体区的最小深度位于体区中间位置，有利于降低体区电阻，沟槽场效应晶体管的导通电压随体区电阻降低而降低，从而提高沟槽场效应晶体管的耐受性能。 | ||
| 搜索关键词： | 沟槽 场效应 晶体管 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种沟槽场效应晶体管，包括：半导体衬底；位于所述半导体衬底第一表面上的外延层；位于所述外延层中的多个分立的栅极；位于所述外延层内且位于所述栅极外围的栅介质层，所述栅介质层上表面、所述栅极上表面与所述外延层上表面齐平；位于所述外延层中且位于相邻两个栅极之间的体区，所述体区与所述栅极通过所述栅介质层隔离；其特征在于，所述体区的深度从中间位置向栅极方向逐渐增大。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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