[发明专利]一种半导体CdS/CdSSe异质结纳米线及其制备方法有效
| 申请号： | 201410071960.7 | 申请日： | 2014-02-28 |
| 公开（公告）号： | CN103882514A | 公开（公告）日： | 2014-06-25 |
| 发明（设计）人： | 潘安练;郭鹏飞 | 申请（专利权）人： | 湖南大学 |
| 主分类号： | C30B23/02 | 分类号： | C30B23/02;C30B29/62;C30B29/48;H01L31/0296;H01L31/18 |
| 代理公司： | 长沙市融智专利事务所 43114 | 代理人： | 颜勇 |
| 地址： | 410082 湖*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | 本发明为一种化学气相沉积（CVD）一维半导体CdS/CdSSe异质结纳米线的制造方法，生长的纳米线长度为50-100微米，直径为80-400纳米。制备过程中利用一套反应源移动装置，需要将固体粉末源材料依次替换经过高温蒸发区域。本发明通过严格控制每阶段生长温度，生长时间，在反应源材料的替换过程中引入隔离时间来排空前一步反应的残余蒸汽，为异质结不同阶段的生长提供一个洁净的环境。本发明打破了传统CVD难于控制蒸发源生长异质结的技术难题，制备出了具有陡峭界面的CdS/CdSSe异质结纳米线。本发明工艺简单、操作简便、成本低廉，所的产品质量优良。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体 cds cdsse 异质结 纳米 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体CdS/CdSSe异质结纳米线，其特征在于：所述CdS/CdSSe异质结纳米线中CdS纳米线与CdSSe纳米线之间的界面为陡峭界面。
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