[发明专利]一种提高TE模介质谐振器Q值的支撑结构有效
| 申请号： | 201410070690.8 | 申请日： | 2014-02-28 |
| 公开（公告）号： | CN103887587A | 公开（公告）日： | 2014-06-25 |
| 发明（设计）人： | 黄健全;陈功田;丁淑芳;夏芬;唐政华;何艳红 | 申请（专利权）人： | 湘南学院;郴州功田电子陶瓷技术有限公司 |
| 主分类号： | H01P7/10 | 分类号： | H01P7/10 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 423000 湖南*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种提高TE模介质谐振器Q值的支撑结构，与介质芯、金属空腔一起构成TE模介质谐振器。该支撑（3）一般采用介电常数较谐振器介质芯小的介质材料制作，其作用是将介质谐振器中介质芯配置于腔体中。发明通过对筒形或柱形支撑（3）与谐振器主体或TE模介质芯（2）的连接部位置处开槽（31、32、33、34），在满足支撑与介质芯的连接机械强度要求下，减小二者之间的TE模耦合，削弱支撑中的损耗，从而在不改变介质芯、支撑及金属空腔的材质、工艺下，提高TE模介质谐振器的Q值。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 提高 te 介质 谐振器 支撑 结构 | ||
【主权项】：
一种提高TE模介质谐振器Q值的支撑结构，是一个筒或柱形支撑（3）；其特征在于，在筒或柱形支撑（3）与谐振器主体或TE模介质芯（2）的连接部位置处开槽（31、32、33、34）。
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