[发明专利]硅通孔侧壁的平坦化方法

摘要

本发明涉及一种工艺方法，尤其是一种硅通孔侧壁的平坦化方法，属于硅通孔加工的技术领域。按照本发明提供的技术方案，一种硅通孔侧壁的平坦化方法，所述侧壁平坦化方法包括如下步骤：a、提供基板，并对所述基板进行刻蚀，以在所述基板内得到深孔；b、对所述基板进行氧等离子体环境下的氧等离子体氧化或氧等离子体阳极氧化，以在所述深孔的侧壁上形成氧化绝缘层；所述氧等离子体氧化过程中基板的温度为200℃~600℃；c、利用等离子体刻蚀去除上述深孔侧壁的氧化绝缘层；d、重复上述步骤b及步骤c，直至深孔侧壁达到所需的光滑度。本发明工艺步骤简单，能对TSV的侧壁进行有效平坦化，便于TSV内加工的可靠性，适应范围广，安全可靠。

主权项

一种硅通孔侧壁的平坦化方法，其特征是，所述侧壁平坦化方法包括如下步骤：（a）、提供基板（1），并对所述基板（1）进行刻蚀，以在所述基板（1）内得到深孔（2）；（b）、对所述基板（1）进行氧等离子体环境下的氧等离子体氧化，以在所述深孔（2）的侧壁上形成氧化绝缘层；所述氧等离子体的氧化过程中基板（1）的温度为200℃~600℃；（c）、利用等离子体刻蚀去除上述深孔（2）侧壁的氧化绝缘层；（d）、重复上述步骤（b）及步骤（c），直至深孔（2）侧壁达到所需的光滑度；所述基板（1）利用光刻胶（3）或硬模板（5）为掩膜刻蚀得到深孔（2）；所述氧化绝缘层为二氧化硅层，氧化绝缘层的厚度小于2μm；深孔（2）的侧壁达到所需的光滑度后，在深孔（2）内设置侧壁氧化层、阻挡层、种子层以及金属导体，所述侧壁氧化层覆盖在深孔（2）的侧壁，阻挡层位于种子层与侧壁氧化层间，金属导体填充在深孔（2）内，种子层包裹在金属导体的外圈；所述基板（1）利用光刻胶（3）为掩膜时，刻蚀得到深孔（2）后，去除基板（1）上的光刻胶（3），并对基板（1）进行清洗；所述硬模板（5）为氮化硅层。