[发明专利]硅通孔侧壁的平坦化方法有效
| 申请号： | 201410068687.2 | 申请日： | 2014-02-27 |
| 公开（公告）号： | CN103811416B | 公开（公告）日： | 2017-01-04 |
| 发明（设计）人： | 勇振中;张文奇 | 申请（专利权）人： | 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 无锡市大为专利商标事务所(普通合伙)32104 | 代理人： | 殷红梅 |
| 地址： | 214000 江苏省无锡市新区太湖国*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 硅通孔 侧壁 平坦 方法 | ||
1.一种硅通孔侧壁的平坦化方法，其特征是，所述侧壁平坦化方法包括如下步骤：
（a）、提供基板（1），并对所述基板（1）进行刻蚀，以在所述基板（1）内得到深孔（2）；
（b）、对所述基板（1）进行氧等离子体环境下的氧等离子体氧化或氧等离子体阳极氧化，以在所述深孔（2）的侧壁上形成氧化绝缘层；所述氧等离子体的氧化过程中基板（1）的温度为200℃~600℃；
（c）、利用等离子体刻蚀去除上述深孔（2）侧壁的氧化绝缘层；
（d）、重复上述步骤（b）及步骤（c），直至深孔（2）侧壁达到所需的光滑度。
2.根据权利要求1所述的硅通孔侧壁的平坦化方法，其特征是：所述基板（1）为硅基板。
3.根据权利要求1所述的硅通孔侧壁的平坦化方法，其特征是：所述基板（1）利用光刻胶（3）或硬模板（5）为掩膜刻蚀得到深孔（2）。
4.根据权利要求3所述的硅通孔侧壁的平坦化方法，其特征是：所述基板（1）利用光刻胶（3）为掩膜时，刻蚀得到深孔（2）后，去除基板（1）上的光刻胶（3），并对基板（1）进行清洗。
5.根据权利要求1所述的硅通孔侧壁的平坦化方法，其特征是：所述氧化绝缘层为二氧化硅层，氧化绝缘层的厚度小于2μm。
6.根据权利要求3所述的硅通孔侧壁的平坦化方法，其特征是：所述基板（1）利用硬掩膜（5）为掩膜时，刻蚀得到深孔（2）后，对基板（1）进行清洗。
7.根据权利要求3所述的硅通孔侧壁的平坦化方法，其特征是：所述硬掩膜（5）为氮化硅层。
8.根据权利要求1所述的硅通孔侧壁的平坦化方法，其特征是：深孔（2）的侧壁达到所需的光滑度后，在深孔（2）内设置侧壁氧化层、阻挡层、种子层以及金属导体，所述侧壁氧化层覆盖在深孔（2）的侧壁，阻挡层位于种子层与侧壁氧化层间，金属导体填充在深孔（2）内，种子层包裹在金属导体的外圈。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
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H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
