[发明专利]反应熔滴沉积装置及用其制备弥散强化铜的方法

摘要

本发明公开了一种反应熔滴沉积装置，包括真空室、第一气源、第一抽真空系统和装有Cu-R合金粉末的料斗，其中R为稀土元素的一种或多种组合，所述第一气源、第一抽真空系统分别与真空室连通，所述真空室内设有由加热体进行加热的结晶器，所述料斗的底部设有落料装置使料斗中的Cu-R合金粉末落入结晶器上。本发明提供的反应熔滴沉积装置及用其制备弥散强化铜的方法，控制气氛的成分，通过气-液反应制备复合材料，液相厚度小，扩散距离短；通过可控的原位反应制备弥散强化金属基复合材料。逐层沉积，制备大块复合材料锭。

主权项

一种反应熔滴沉积装置制备弥散强化铜的方法，包括：a、准备Cu‑R合金粉末，其中R为稀土元素、Zr元素或Th元素中的一种或多种组合，R的含量为0.1‑10wt%；b、将Cu‑R合金粉末散落在结晶器上并对结晶器加热，使Cu‑R合金熔化为合金液膜，所述结晶器放置在抽真空环境中，并且抽真空环境中充有保护气氛；c、向抽真空环境中充入保护气氛和氧气的混合气体，并且氧气的含量不超过混合气体总体积的10%，保持一定时间使合金液膜中的R元素氧化，得到一层氧化物弥散强化铜。d、重复b、c，使氧化物弥散强化铜逐层增厚。