[发明专利]反应熔滴沉积装置及用其制备弥散强化铜的方法有效

专利信息
申请号: 201410065143.0 申请日: 2014-02-25
公开(公告)号: CN103920878A 公开(公告)日: 2014-07-16
发明(设计)人: 谢鲲;夏鹏成;岳丽杰;曹梅青;曾庆良 申请(专利权)人: 山东科技大学
主分类号: B22F3/115 分类号: B22F3/115;C22C1/02;C22C9/00
代理公司: 北京挺立专利事务所(普通合伙) 11265 代理人: 叶树明
地址: 266590 山东省青*** 国省代码: 山东;37
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摘要:
搜索关键词: 反应 沉积 装置 制备 弥散 强化 方法
【权利要求书】:

1.一种反应熔滴沉积装置制备弥散强化铜的方法,包括:

a、准备Cu-R合金粉末,其中R为稀土元素、Zr元素或Th元素中的一种或多种组合,R的含量为0.1-10wt%;

b、将Cu-R合金粉末散落在结晶器上并对结晶器加热,使Cu-R合金熔化为合金液膜,所述结晶器放置在抽真空环境中,并且抽真空环境中充有保护气氛;

c、向抽真空环境中充入保护气氛和氧气的混合气体,并且氧气的含量不超过混合气体总体积的10%,保持一定时间使合金液膜中的R元素氧化,得到一层氧化物弥散强化铜。

d、重复b、c,使氧化物弥散强化铜逐层增厚。

2.如权利要求1所述的方法,其特征是,步骤b、c中,所述保护气氛为惰性气体、氮气或氢气中的任意一种或多种混合。

3.如权利要求2所述的方法,其特征是,步骤b中,结晶器温度为900~1100℃。

4.如权利要求2所述的方法,其特征是,步骤b中,抽真空环境中的压力为<10-4Pa,并且其中氧分压小于10-5Pa。

5.如权利要求2所述的方法,其特征是,步骤c中,抽真空环境中的保护气氛压力为10-3~10-1Pa,并且保护气氛中的氧分压为10-5~10-3Pa。

6.一种反应熔滴沉积装置,包括真空室、第一气源、第一抽真空系统和装有Cu-R合金粉末的料斗,其中R为稀土元素的一种或多种组合,所述第一气源、第一抽真空系统分别与真空室连通,所述真空室内设有由加热体进行加热的结晶器,所述料斗的底部设有落料装置使料斗中的Cu-R合金粉末落入结晶器上。

7.如权利要求6所述的装置,其特征是,所述落料装置包括装粉靴、模腔、布粉器,所述装粉靴与料斗的底部连接,使Cu-R合金粉末可导入装粉靴,装粉靴的下部与模腔连通,装粉靴可回转移动使Cu-R合金粉末进入模腔之中并均匀分布,所述布粉器位于模腔的底部,布粉器移动使模腔中的Cu-R合金粉末落料。

8.如权利要求6所述的装置,其特征是,所述结晶器的底部与定位器连接,并且所述定位器与旋转振动台连接并由旋转振动台驱动。

9.如权利要求6所述的装置,其特征是,所述料斗置于密闭的料仓之中,并且所述料仓与第二气源、第二抽真空系统连接。

10.如权利要求6所述的装置,其特征是,在所述第一气源与真空室之间的通道上设有恒压室;或者,在所述第一抽真空系统与所述真空室之间的通道上设有预抽室。

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