[发明专利]硬掩模组合物、使用其形成图案的方法以及包括该图案的半导体集成电路装置

摘要

本发明公开了硬掩模组合物、使用其形成图案的方法以及包括该图案的半导体集成电路装置，其中该硬掩模组合物包括由以下化学式1表示的单体、包含由以下化学式2表示的部分的聚合物、包含由以下化学式3表示的部分的聚合物、或者它们的组合，以及溶剂。在以下化学式1至3中，A、A′、A″、L、L′、X、X′、m、n、Ar、B、Xa以及Xb与具体实施方式中限定的相同。[化学式1][化学式2][化学式3]

主权项

一种硬掩模组合物，包括：由以下化学式1表示的单体，包含由以下化学式2表示的部分的聚合物，包含由以下化学式3表示的部分的聚合物，或者它们的组合，以及溶剂，[化学式1]其中，在以上化学式1中，A选自取代或未取代的芳环基团、取代或未取代的脂环基团、取代或未取代的C1至C20亚烷基基团，取代或未取代的C2至C20亚烯基基团以及取代或未取代的C2至C20亚炔基基团，以及它们的组合，A'和A″独立地是取代或者未取代的芳环基团、取代或未取代的脂环基团、或者它们的组合，X和X'独立地是羟基基团、亚硫酰基团、巯基基团、氰基基团、取代或未取代的氨基基团、卤素原子、包含卤素的基团、取代或未取代的C1至C30烷氧基基团、或者它们的组合物，L和L′独立地是单键、取代或未取代的C1至C20亚烷基基团、取代或者未取代的C6至C30亚芳基基团、或者它们的组合，并且m和n独立地是大于或等于0的整数，并且1≤m+n≤(A取代基的最大数量)：[化学式2]其中，在以上化学式2中，Ar是选自以下组1的取代或未取代的芳基，并且B是选自以下组2中的一种、或者两种或更多种的组合：[组1][组2]其中，在组2中，M1和M2独立地是氢、羟基基团、亚硫酰基团、巯基基团、氰基基团、取代或未取代的氨基基团、卤素原子、包含卤素的基团、取代或未取代的C1至C30烷氧基基团、或者它们的组合物：[化学式3]其中，在上述化学式3中，Xa和Xb独立地是羟基基团、亚硫酰基团、巯基基团、氰基基团、取代或未取代的氨基基团、卤素原子、包含卤素的基团、取代或未取代的C1至C30烷氧基基团、或者它们的组合物；其中，所述单体和所述聚合物的重量比是9:1至1:9。