[发明专利]硬掩模组合物、使用其形成图案的方法以及包括该图案的半导体集成电路装置有效
申请号: | 201410063061.2 | 申请日: | 2014-02-24 |
公开(公告)号: | CN104253024B | 公开(公告)日: | 2017-07-28 |
发明(设计)人: | 崔有廷;金润俊;金古恩;金永珉;金惠廷;文俊怜;朴曜徹;朴裕信;朴惟廷;宋炫知;辛乘旭;尹龙云;李忠宪;洪承希 | 申请(专利权)人: | 第一毛织株式会社 |
主分类号: | H01L21/027 | 分类号: | H01L21/027;H01L21/02;H01L21/311;C08G61/02 |
代理公司: | 北京康信知识产权代理有限责任公司11240 | 代理人: | 余刚,张英 |
地址: | 韩国庆*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 模组 使用 形成 图案 方法 以及 包括 半导体 集成电路 装置 | ||
1.一种硬掩模组合物,包括:
由以下化学式1表示的单体,
包含由以下化学式2表示的部分的聚合物,包含由以下化学式3表示的部分的聚合物,或者它们的组合,以及
溶剂,
[化学式1]
其中,在以上化学式1中,
A选自取代或未取代的芳环基团、取代或未取代的脂环基团、取代或未取代的C1至C20亚烷基基团,取代或未取代的C2至C20亚烯基基团以及取代或未取代的C2至C20亚炔基基团,以及它们的组合,
A'和A″独立地是取代或者未取代的芳环基团、取代或未取代的脂环基团、或者它们的组合,
X和X'独立地是羟基基团、亚硫酰基团、巯基基团、氰基基团、取代或未取代的氨基基团、卤素原子、包含卤素的基团、取代或未取代的C1至C30烷氧基基团、或者它们的组合物,
L和L′独立地是单键、取代或未取代的C1至C20亚烷基基团、取代或者未取代的C6至C30亚芳基基团、或者它们的组合,并且
m和n独立地是大于或等于0的整数,并且1≤m+n≤(A取代基的最大数量):
[化学式2]
其中,在以上化学式2中,
Ar是选自以下组1的取代或未取代的芳基,并且
B是选自以下组2中的一种、或者两种或更多种的组合:
[组1]
[组2]
其中,在组2中,M1和M2独立地是氢、羟基基团、亚硫酰基团、巯基基团、氰基基团、取代或未取代的氨基基团、卤素原子、包含卤素的基团、取代或未取代的C1至C30烷氧基基团、或者它们的组合物:
[化学式3]
其中,在上述化学式3中,
Xa和Xb独立地是羟基基团、亚硫酰基团、巯基基团、氰基基团、取代或未取代的氨基基团、卤素原子、包含卤素的基团、取代或未取代的C1至C30烷氧基基团、或者它们的组合物;
其中,所述单体和所述聚合物的重量比是9:1至1:9。
2.根据权利要求1所述的硬掩模组合物,其中,A、A'和A″独立地是选自以下组3的取代或者未取代的环状基团:
[组3]
其中,在所述组3中,
Z1和Z2独立地是单键、取代或未取代的C1至C20亚烷基基团、取代或未取代的C3至C20环亚烷基基团、取代或未取代的C6至C20亚芳基基团、取代或未取代的C2至C20杂亚芳基基团、取代或未取代的C2至C20亚烯基基团、取代或未取代的C2至C20亚炔基基团、C=O、NRa、氧(O)、硫(S)、或者它们的组合,其中Ra是氢、取代或未取代的C1至C10烷基基团、卤素原子、或者它们的组合,并且
Z3至Z17独立地是C=O、NRa、氧(O)、硫(S)、CRbRc、或者它们的组合,其中Ra至Rc独立地是氢、取代或者未取代的C1至C10烷基基团、卤素原子、包含卤素的基团、或者它们的组合。
3.根据权利要求2所述的硬掩模组合物,其中,A、A'和A″中至少一个是多环芳基。
4.根据权利要求1所述的硬掩模组合物,其中,A、A′或者A″中至少一个氢被以下各项取代:羟基基团、亚硫酰基团、巯基基团、氰基基团、取代或未取代的氨基基团、卤素原子、包含卤素的基团、取代或未取代的C1至C30烷氧基基团、或者它们的组合。
5.根据权利要求1所述的硬掩模组合物,其中,在以上化学式2中,Ar的至少一个氢被以下各项取代:羟基基团、亚硫酰基团、巯基基团、氰基基团、取代或未取代的氨基团、卤素原子、包含卤素的基团、取代或未取代的C1至30烷氧基基团、或者它们的组合。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造