[发明专利]一种半导体器件的制作方法有效
| 申请号： | 201410062292.1 | 申请日： | 2014-02-24 |
| 公开（公告）号： | CN104867861B | 公开（公告）日： | 2018-03-20 |
| 发明（设计）人： | 张城龙;胡敏达 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所11336 | 代理人： | 董巍,高伟 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体器件的制作方法，所述制作方法包括提供半导体衬底；在所述半导体衬底上依次形成第一阻挡层、第一层间介电层；在所述第一层间介电层和所述第一阻挡层中，形成第一沟槽；在所述第一沟槽内填充第一金属层；执行第一化学机械研磨工艺，以形成第一金属互连线；回蚀刻所述第一层间介电层，以露出部分所述第一金属互连线；在所述第一层间介电层以及所述第一金属互连线上形成第二阻挡层和第二层间介质层；在所述第二阻挡层和第二层间介质层中形成第二沟槽和通孔以露出所述第一金属互连线；在所述第二沟槽和所述通孔中填充第二金属层。通过此方法避免了通孔底端虎齿现象的出现，提高了器件的可靠性和良品率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 制作方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件的制作方法，包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底上依次形成第一阻挡层、第一层间介电层；在所述第一层间介电层和所述第一阻挡层中，形成第一沟槽；在所述第一沟槽内填充第一金属层；执行第一化学机械研磨工艺，以形成第一金属互连线；回蚀刻所述第一层间介电层，以露出部分所述第一金属互连线；在所述第一层间介电层以及所述第一金属互连线上依序形成第二阻挡层和第二层间介电层；在所述第二阻挡层和第二层间介电层中形成第二沟槽和通孔以露出所述第一金属互连线；在所述第二沟槽和所述通孔中填充第二金属层，所述通孔中的第二金属层的底部与所述第一层间介电层之间形成有所述第二阻挡层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
