[发明专利]一种半导体器件的制作方法

权利要求书

1.一种半导体器件的制作方法，包括：

提供半导体衬底；

在所述半导体衬底上依次形成第一阻挡层、第一层间介电层；

在所述第一层间介电层和所述第一阻挡层中，形成第一沟槽；

在所述第一沟槽内填充第一金属层；

执行第一化学机械研磨工艺，以形成第一金属互连线；

回蚀刻所述第一层间介电层，以露出部分所述第一金属互连线；

在所述第一层间介电层以及所述第一金属互连线上依序形成第二阻挡层和第二层间介电层；

在所述第二阻挡层和第二层间介电层中形成第二沟槽和通孔以露出所述第一金属互连线；

在所述第二沟槽和所述通孔中填充第二金属层，所述通孔中的第二金属层的底部与所述第一层间介电层之间形成有所述第二阻挡层。

2.如权利要求1所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，采用等离子体刻蚀法执行所述回蚀刻工艺。

3.如权利要求1所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，形成所述通孔的步骤包括，执行过刻蚀工艺去除部分所述第一金属互连线的步骤。

4.如权利要求1所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，形成所述第二金属层之后，还包括执行第二化学机械研磨工艺，以形成第二金属互连线的步骤。

5.如权利要求1所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，所述通孔底端镶嵌于所述第二阻挡层内。

6.如权利要求1所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，所述通孔的截面宽度大于所述第一沟槽的截面宽度，小于所述第二沟槽的截面宽度。

7.如权利要求3所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，执行所述回蚀刻工艺的刻蚀深度大于执行所述过刻蚀步骤的刻蚀深度。

8.如权利要求1所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，所述第一层间介电层和所述第二层间介电层为低k介电材料或者超低k介电材料。

9.如权利要求1所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，形成所述第一层间介电层后，还包括依次沉积TEOS掩膜层和硬掩膜层的步骤。

10.如权利要求9所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，所述硬掩膜层为金属硬掩膜层。