[发明专利]半导体器件和制造器件的方法在审
| 申请号： | 201410059957.3 | 申请日： | 2014-02-21 |
| 公开（公告）号： | CN104003347A | 公开（公告）日： | 2014-08-27 |
| 发明（设计）人： | 安藤友一;佐藤幸人;前胜知 | 申请（专利权）人： | 株式会社理光 |
| 主分类号： | B81B7/00 | 分类号： | B81B7/00;B81C1/00 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 11245 | 代理人： | 赵蓉民 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体器件和制造器件的方法。一种器件包括：第一衬底，功能性元件和电极在其中形成；第二衬底，贯通电极在其中形成；接合材料，其接合所述第一衬底和所述第二衬底，并在所述功能性元件和所述第二衬底之间保留预定空间；和导电材料，其将所述电极电连接到所述贯通电极。在此，所述接合材料比所述导电材料更硬，并且在电学上，所述接合材料比所述导电材料导电性更弱。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 制造 器件 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，其包括：第一衬底，功能性元件和电极在其中形成；第二衬底，贯通电极在其中形成；接合材料，其接合所述第一衬底和所述第二衬底，并在所述功能性元件和所述第二衬底之间保留预定空间；和导电材料，其将所述电极电连接到所述贯通电极，其中所述接合材料比所述导电材料更硬，并且所述接合材料在电学上比所述导电材料导电性更弱。
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