[发明专利]半导体器件和制造器件的方法

权利要求书

1.一种半导体器件，其包括：

第一衬底，功能性元件和电极在其中形成；

第二衬底，贯通电极在其中形成；

接合材料，其接合所述第一衬底和所述第二衬底，并在所述功能性元件和所述第二衬底之间保留预定空间；和

导电材料，其将所述电极电连接到所述贯通电极，

其中所述接合材料比所述导电材料更硬，并且所述接合材料在电学上比所述导电材料导电性更弱。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述接合材料和所述导电材料由具有相同熔化温度的相应烘烤材料形成。

3.根据权利要求1或权利要求2所述的半导体器件，其中所述接合材料是玻璃熔料材料或聚合物树脂。

4.根据权利要求1至3中的任何一项所述的半导体器件，其中所述导电材料是Au、Ag、包括Au和Ag的浆料材料，或包括Au和Ag的焊接材料。

5.根据权利要求1至4中的任何一项所述的半导体器件，其中所述功能性元件由所述接合材料真空密封。

6.根据权利要求1至5中的任何一项所述的半导体器件，其中所述第一衬底和所述第二衬底中的每一个是平面衬底。

7.根据权利要求1所述的半导体器件，其进一步包括：

第三衬底，其中光学元件形成在所述第三衬底上。

8.根据权利要求7所述的半导体器件，其中接合所述第一衬底和所述第二衬底的所述接合材料是第一接合材料，而接合所述第一衬底和所述第三衬底的接合材料是第二接合材料，并且

其中所述第二接合材料的厚度和宽度与所述第一接合材料的厚度和宽度不同。

9.根据权利要求8所述的半导体器件，其中所述第一接合材料和所述第二接合材料由相同材料形成。

10.根据权利要求8所述的半导体器件，其中所述第一接合材料是玻璃熔料材料，而所述第二接合材料是金属。

11.根据权利要求8所述的半导体器件，其中所述第二接合材料是聚合物树脂。

12.一种制造器件的方法，所述方法包括：

在第一衬底上形成功能性元件和电极的步骤；

在所述电极上形成导电材料的步骤；

在第二衬底中形成贯通电极的步骤；

在所述第二衬底上形成接合材料的步骤，其中所述接合材料比所述导电材料更硬，并且所述接合材料在电学上比所述导电材料导电性更弱；

通过所述接合材料接合所述第一衬底和所述第二衬底，并在所述功能性元件和所述第二衬底之间保留预定空间的步骤；以及

通过所述导电材料将所述电极电连接到所述贯通电极的步骤。

13.一种制造器件的方法，所述方法包括：

在第一衬底上形成功能性元件和电极的步骤；

在所述电极上形成导电材料的步骤；

在第二衬底中形成贯通电极的步骤；

在所述第二衬底上形成接合材料的步骤，其中所述接合材料比所述导电材料更硬，并且所述接合材料在电学上比所述导电材料导电性更弱；

烘烤所述导电材料和所述接合材料并在所述功能性元件和所述第二衬底之间保留预定空间的步骤；

通过所述接合材料接合所述第一衬底和所述第二衬底的步骤，以及

通过所述导电材料将所述电极电连接到所述贯通电极的步骤。

14.根据权利要求12所述的方法，其中接合所述第一衬底和所述第二衬底的所述接合材料是第一接合材料，而接合所述第一衬底和第三衬底的接合材料是第二接合材料，并且

其中所述方法进一步包括形成所述第二接合材料的步骤，以使所述第二接合材料的厚度和宽度与所述第一接合材料的厚度和宽度不同。