[发明专利]一种浅沟槽隔离结构的制作方法有效
| 申请号： | 201410058168.8 | 申请日： | 2014-02-20 |
| 公开（公告）号： | CN104867860B | 公开（公告）日： | 2017-10-20 |
| 发明（设计）人： | 张庆勇;周儒领 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所31219 | 代理人： | 李仪萍 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种浅沟槽隔离结构的制作方法，包括步骤1）于半导体衬底表面形成具有刻蚀窗口的阻挡层；2）于所述半导体衬底内部形成沟槽；3）通过热氧化工艺于所述沟槽底部及侧壁形成第一厚度的热氧化物层；4）于所述沟槽底部形成保护层；5）将所述保护层以上的热氧化物层减薄至第二厚度；6）去除所述保护层；7）于所述沟槽内形成至少充满所述沟槽的绝缘介质。本发明在保证沟槽顶部转角圆角化实现的同时，并不对半导体衬底造成任何损伤的情况下，大大提高了采用高密度等离子体化学气相淀积工艺于沟槽内填充绝缘介质的质量，从而避免了半导体器件漏电流等缺陷的产生，提高了半导体器件的质量。本发明步骤简单易行，适用于工业生产。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 沟槽 隔离 结构 制作方法 | ||
【主权项】：
一种浅沟槽隔离结构的制作方法，其特征在于，至少包括以下步骤：1）提供一半导体衬底，于所述半导体衬底表面形成具有刻蚀窗口的阻挡层；2）刻蚀所述半导体衬底以于所述半导体衬底内部形成沟槽；3）通过热氧化工艺于所述沟槽底部及侧壁形成第一厚度的热氧化物层；4）于所述沟槽底部形成保护层；5）将所述保护层以上的热氧化物层减薄至第二厚度；6）去除所述保护层；7）于所述沟槽内形成至少充满所述沟槽的绝缘介质。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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